时间：2025/5/12 12:04:36
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NCE60P50K 是一款基于碳化硅（SiC）技术的 MOSFET 功率器件，适用于高频、高效能功率转换场景。该芯片具有较低的导通电阻和快速开关特性，能够显著提升系统的效率和功率密度。其耐压为 60V，主要应用于电源管理、电机驱动以及工业自动化领域。
额定电压：60V
额定电流：50A
导通电阻：1.2mΩ
最大工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-247
NCE60P50K 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，在高负载电流下减少功耗。
2. 高速开关性能，可有效降低开关损耗并支持更高的工作频率。
3. 内置反向恢复二极管，优化了续流路径。
4. 碳化硅材料的使用使得器件具备优异的热性能和稳定性。
5. 耐高温能力较强，能够在极端条件下保持可靠运行。
6. 小型化的封装设计有助于简化 PCB 布局并节省空间。
7. 符合 RoHS 标准，环保无害。
NCE60P50K 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）和 DC-DC 转换器中的功率开关。
2. 工业电机驱动系统中的逆变桥臂。
3. 新能源汽车中的车载充电器及 DC-DC 模块。
4. 太阳能微逆变器和其他可再生能源相关设备。
5. 高效 LED 驱动电路以及各类高性能功率管理系统。
6. 快速充电适配器和 USB-PD 控制器等消费类电子产品。
这款器件特别适合需要高效率和高频工作的场合。
NCE60P50H
NCE60P50G
