GA1206A5R6DXCBC31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,属于沟槽型 MOSFET 系列。该芯片采用先进的制造工艺,具有较低的导通电阻和较高的开关速度,适用于高频开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等应用场景。其封装形式为表面贴装类型,便于自动化生产和高密度电路板设计。
这款芯片以其优异的电气性能和可靠性,在工业控制、消费电子以及通信设备中得到广泛应用。
型号:GA1206A5R6DXCBC31G
类型:N沟道 MOSFET
最大漏源电压(Vds):60V
最大栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):12A
导通电阻(Rds(on)):5.6mΩ(典型值,Vgs=10V)
功耗(PD):140W
总电容(Ciss):1380pF
输入电容(Ciss):930pF
输出电容(Coss):290pF
反向恢复时间(trr):75ns
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
GA1206A5R6DXCBC31G 具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻,能够有效降低传导损耗,提高系统效率。
2. 快速的开关速度,适合高频应用场合。
3. 高度稳定的动态性能,即使在恶劣环境下也能保持可靠运行。
4. 小尺寸封装设计,节省PCB空间,有助于实现紧凑型电路设计。
5. 符合RoHS标准,环保且满足国际法规要求。
6. 出色的热性能,支持更高的功率密度和更长的产品寿命。
7. 内置静电保护功能,增强芯片的抗干扰能力。
该芯片主要应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS),如适配器、充电器等。
2. 各类 DC-DC 转换器,用于电压调节和电源管理。
3. 电机驱动电路,用于控制小型直流电机或步进电机。
4. 工业自动化设备中的功率转换模块。
5. 汽车电子系统中的负载开关和保护电路。
6. LED 驱动器,提供高效稳定的电流输出。
7. 通信设备中的功率放大器和信号调节电路。
GA1206A5R6DXCBT31G, IRFZ44N, FDP5500