时间：2025/5/10 8:58:53
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NCE60ND18G是一款高性能的MOSFET功率器件，采用N沟道增强型场效应晶体管技术。它适用于各种高效率开关电源、电机驱动和负载切换应用。该器件具有低导通电阻和快速开关特性，可显著降低功率损耗并提高系统效率。
该MOSFET采用TO-220封装形式，便于散热管理和电路板布局设计。其坚固耐用的设计使其能够在恶劣的工作条件下保持稳定性能。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：18A
导通电阻：3.5mΩ
栅极电荷：30nC
开关速度：超快
工作温度范围：-55℃至175℃
NCE60ND18G具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻（3.5mΩ），有助于减少导通损耗并提升整体效率。
2. 快速的开关特性，支持高频应用。
3. 高电流承载能力（18A），适合大功率场景。
4. 宽广的工作温度范围（-55℃至175℃），确保在极端环境下的可靠性。
5. 符合RoHS标准，环保且无铅焊接兼容。
6. TO-220封装形式，易于安装和维护。
这款MOSFET广泛应用于以下领域：
1. 开关电源和DC-DC转换器。
2. 电机驱动和控制电路。
3. 负载切换和保护电路。
4. 工业自动化设备中的功率管理。
5. 汽车电子系统中的电源控制。
6. 各种消费类电子产品中的高效功率转换模块。
IRFZ44N
STP18NF06L
FDP18N06L
