T4106D 时间：2025/9/2 18:56:42 阅读：5

T4106D是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道增强型功率MOSFET，适用于高频率开关应用。该器件采用先进的沟槽栅技术，具有低导通电阻、高效率和优良的热稳定性，广泛用于电源管理、DC-DC转换器、电池充电器和电机控制等电路中。T4106D的封装形式为TO-220，便于散热和安装，适用于多种工业和消费类电子设备。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：60V
　　最大漏极电流(Id)：70A
　　导通电阻(Rds(on))：最大值2.5mΩ（典型值2.0mΩ）
　　栅极阈值电压(Vgs(th))：2V至4V
　　最大栅极电压(Vgs)：±20V
　　工作温度范围：-55°C至+175°C
　　封装形式：TO-220

特性

T4106D具有多项优异特性，首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统效率。其次，采用沟槽栅技术提升了器件的开关性能，使其适用于高频开关应用，减少了开关损耗。此外，该MOSFET具备较高的电流承载能力，最大漏极电流可达70A，适用于大功率应用场景。T4106D的热稳定性良好，在高负载条件下仍能保持稳定工作，增强了系统的可靠性。其TO-220封装设计有利于良好的散热性能，适用于需要高功率密度的设计。此外，T4106D的栅极阈值电压范围适中（2V至4V），使其兼容多种驱动电路，便于设计和集成。
　　在安全性和保护方面，T4106D具备一定的过载和短路承受能力，能够在瞬态条件下提供一定程度的保护，延长器件寿命。此外，该MOSFET的封装材料符合RoHS环保标准，支持绿色电子产品的设计。这些特性使得T4106D成为高性能功率管理应用的理想选择。

应用

T4106D广泛应用于多种功率电子系统中，尤其是在需要高效率和高电流处理能力的场合。常见的应用包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电池管理系统（如电动工具和电动车充电器）、电机驱动电路以及电源开关模块。此外，该器件也适用于服务器电源、工业控制设备、UPS不间断电源和太阳能逆变器等高可靠性要求的应用场景。由于其优异的导通性能和热管理能力，T4106D在高频开关电源设计中表现出色，有助于提高整体系统的能效和稳定性。