NCE55P30 时间：2025/6/18 22:48:49 阅读：3

NCE55P30 是一款高性能的 P 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于各种开关和功率管理场景。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度以及出色的热稳定性。
　　这款 MOSFET 主要用于电源管理、负载开关、电机驱动等应用领域，能够满足设计人员对效率和可靠性的严格要求。

参数

型号：NCE55P30
　　类型：P沟道增强型MOSFET
　　额定电压：-55V
　　额定电流：-30A
　　导通电阻：18 mΩ（典型值，Vgs=-10V）
　　栅极电荷：19 nC（最大值）
　　输入电容：760 pF（典型值）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220, TO-252 (DPAK)
　　最大耗散功率：140W（TO-220 封装下）

特性

NCE55P30 具有以下主要特性：
　　1. 极低的导通电阻，有助于减少功率损耗并提高系统效率。
　　2. 快速开关能力，适合高频应用环境。
　　3. 高度稳定的性能，能够在宽温度范围内保持一致的工作状态。
　　4. 低栅极电荷，降低了驱动电路的复杂性和功耗。
　　5. 支持多种封装选项，便于灵活设计布局。
　　6. 符合 RoHS 标准，环保且适用于现代工业需求。

应用

NCE55P30 广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源中的同步整流器。
　　2. DC-DC 转换器的高端开关。
　　3. 各类负载开关，例如汽车电子中的继电器替代方案。
　　4. 电池保护电路，如防止过放电或反向连接。
　　5. 电机驱动中的功率级控制。
　　6. 便携式设备中的电源管理单元。
　　该 MOSFET 的高效率和可靠性使其成为许多高功率、小体积应用的理想选择。