时间：2025/5/13 15:40:08
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NCE40P06J 是一款由 ON Semiconductor 提供的 40V N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用小型化的 SOT23-3 封装，适用于需要高效能和紧凑设计的应用场景。其低导通电阻特性使其非常适合于负载开关、电源管理以及便携式设备中的各种功率转换应用。
该 MOSFET 的主要特点是低导通电阻（Rds(on)），在典型工作条件下可提供高效的功率传输，并减少功耗。此外，它还具备快速开关性能，能够适应高频开关电路的需求。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：1.2A
导通电阻（Rds(on)）：280mΩ
栅极电荷：5nC
总电容：220pF
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：SOT23-3
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低功率损耗并提升系统效率。
2. 高速开关能力，适合高频开关应用。
3. 小型化 SOT23-3 封装，节省 PCB 空间，适用于紧凑型设计。
4. 宽泛的工作温度范围，确保在极端环境下的可靠性。
5. 具备较高的雪崩击穿能量，提高器件在过载条件下的耐用性。
1. 手机和平板电脑等便携式电子设备中的负载开关。
2. 各类 DC-DC 转换器和降压稳压器。
3. 电池供电设备中的功率管理模块。
4. LED 驱动电路。
5. 信号放大器及音频功放中的保护电路。
6. 工业控制和消费类电子产品中的小信号处理与功率切换。
NTMFS4837N
FDP15N04L
IRLML6402TRPBF
