时间：2025/5/6 20:50:03
阅读：14
CSD17585F5 是一款由德州仪器 (TI) 生产的 N 通道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的工艺技术制造，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于各种高效能电源管理应用。其封装形式为小外形晶体管 (SOT-23)，非常适合空间受限的设计。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：4.9A
导通电阻：150mΩ
栅极电荷：6nC
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：SOT-23
CSD17585F5 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，在高电流应用中可减少功耗并提升效率。
2. 快速开关性能，适合高频开关应用。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件的鲁棒性和可靠性。
4. 小巧的 SOT-23 封装，使它非常适合于便携式设备和空间有限的应用场景。
5. 广泛的工作温度范围，使其能够在极端环境下稳定运行。
CSD17585F5 主要应用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS) 中的同步整流。
2. DC-DC 转换器中的功率级开关。
3. 电池保护电路。
4. 消费类电子产品中的负载开关。
5. 工业控制和汽车电子中的电机驱动控制。
CSD18530F5, CSD17578Q5A
