时间：2025/4/28 8:59:47
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NCE30P60G 是一款高性能的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要应用于开关电源、电机驱动和逆变器等领域。该器件采用 N 沟道增强型技术，具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力。其封装形式为 TO-247，适合高功率密度的应用场景。
这款 MOSFET 的设计旨在提高效率并降低功耗，适用于需要快速开关和低损耗的电路中。通过优化的芯片结构和封装工艺，NCE30P60G 在高频应用中表现出色。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：30A
导通电阻：0.18Ω
栅极电荷：50nC
输入电容：1200pF
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
NCE30P60G 提供了出色的电气性能和可靠性，主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，能够显著减少传导损耗。
2. 快速开关特性，支持高频操作，降低开关损耗。
3. 高额定电压和大电流能力，确保在恶劣条件下稳定运行。
4. 良好的热性能，便于散热设计。
5. 可靠性高，能够在宽温度范围内保持稳定的性能。
6. 封装坚固耐用，适合工业和汽车应用环境。
NCE30P60G 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）
2. 电机驱动和控制
3. 太阳能逆变器
4. 电动工具
5. 工业自动化设备
6. 电动汽车和混合动力汽车中的 DC-DC 转换器
由于其出色的性能和可靠性，NCE30P60G 成为众多高功率电子系统中的关键元件。
NCE30P60G-A, IRFP260N, STP30NF60
