NCE30H10是一款基于硅材料制造的高压MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器和其他高电压场景。该器件采用TO-220封装形式,具备低导通电阻和快速开关特性,能够在高频应用中提供高效的功率转换。
该型号属于N沟道增强型MOSFET,通过栅极电压控制漏极和源极之间的电流流动。由于其出色的电气性能和耐用性,NCE30H10在工业和消费电子领域都有广泛应用。
最大漏源电压:600V
连续漏极电流:10A
栅极源极电压:±20V
导通电阻:0.5Ω
总功耗:150W
工作温度范围:-55℃至+150℃
NCE30H10具有以下显著特点:
1. 高击穿电压:高达600V的漏源电压使其适用于高电压环境。
2. 低导通电阻:0.5Ω的典型导通电阻有助于减少传导损耗,提高效率。
3. 快速开关能力:较低的输入和输出电容使器件能够实现快速开关操作。
4. 热稳定性强:能够在极端温度范围内正常工作,适应各种恶劣环境。
5. 封装可靠:TO-220封装提供良好的散热性能和机械强度。
NCE30H10主要应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS):用于DC-DC转换器和AC-DC适配器中的功率开关。
2. 电机驱动:支持高效步进电机、直流无刷电机等的驱动控制。
3. 逆变器:在太阳能逆变器和不间断电源(UPS)中作为关键功率元件。
4. 负载切换:实现大电流负载的快速切换功能。
5. 保护电路:用作过流保护或短路保护的电子开关。
IRF840
FQP17N60
STP10NK60Z