NCE20PK0402J 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效功率晶体管,适用于高频开关电源、DC-DC 转换器以及射频应用。该器件采用增强型设计,具备低导通电阻和快速开关特性,可显著提高系统的效率和功率密度。
该器件通过优化栅极驱动特性和封装设计,实现了更低的寄生电感和更高的热性能,从而支持更高频率下的稳定运行。NCE20PK0402J 的设计符合 RoHS 标准,并在可靠性方面经过严格测试。
额定电压:650V
额定电流:20A
导通电阻:40mΩ
栅极电荷:80nC
反向恢复时间:10ns
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
封装形式:TO-247-3
NCE20PK0402J 的主要特性包括:
1. 高效的氮化镓技术,提供低导通电阻和高开关速度。
2. 内置保护功能,如过流保护和短路保护,增强系统安全性。
3. 小型化封装设计,减少寄生参数影响,提升高频性能。
4. 支持宽禁带半导体技术,能够在高温环境下保持优异的性能。
5. 低开关损耗,适合高效率电源转换应用。
6. 热阻较低,有助于散热管理,延长使用寿命。
NCE20PK0402J 广泛应用于以下领域:
1. 高频开关电源 (SMPS),如服务器电源和通信电源。
2. DC-DC 转换器,特别是要求高效率和高功率密度的设计。
3. 太阳能逆变器和储能系统中的功率转换模块。
4. 电动汽车 (EV) 和混合动力汽车 (HEV) 的车载充电器。
5. 射频功率放大器以及其他需要高性能开关特性的场景。
NCE20PK0401J, NCE20PK0403J