NCE20P45Q 时间：2025/5/12 14:16:01 阅读：8

NCE20P45Q 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，专为高效率和高可靠性应用而设计。该器件采用先进的半导体工艺制造，具有较低的导通电阻和良好的开关性能，适用于各种电源管理和电机驱动场景。
　　其封装形式通常为 TO-220 或 DPAK，能够提供较高的电流承载能力和散热性能，适合于需要高效能和低功耗的应用环境。

参数

最大漏源电压：45V
　　连续漏极电流：20A
　　导通电阻（典型值）：15mΩ
　　栅极电荷：45nC
　　开关速度：60ns
　　工作温度范围：-55℃ 至 150℃

特性

NCE20P45Q 具有以下显著特点：
　　1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够有效降低功率损耗，提升系统效率。
　　2. 高电流处理能力，支持高达 20A 的连续漏极电流，满足大功率应用场景需求。
　　3. 快速开关性能，具备较短的开关时间（约 60ns），有助于减少开关损耗。
　　4. 良好的热稳定性，在高温环境下依然可以保持稳定的电气性能。
　　5. 封装坚固耐用，便于集成到各种终端设备中。

应用

NCE20P45Q 广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率级开关。
　　2. 电机驱动电路，用于控制直流无刷电机或其他类型的电动机。
　　3. 电池保护和管理系统 (BMS)，实现过流、短路保护功能。
　　4. 逆变器和 UPS 系统中的功率转换模块。
　　5. 各种工业自动化设备中的负载切换与控制单元。