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GA1206Y153KXBBR31G 发布时间 时间:2025/5/30 22:17:38 查看 阅读:8

GA1206Y153KXBBR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,适用于高效率开关电源、DC-DC 转换器以及电机驱动等应用领域。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻和快速开关特性,能够有效降低系统功耗并提升整体性能。
  此型号属于沟道增强型 MOSFET 系列,具有较高的耐压能力,并在高频工作条件下表现出色。

参数

类型:N-Channel MOSFET
  漏源极电压(Vds):120V
  连续漏极电流(Id):6A
  导通电阻(Rds(on)):150mΩ
  栅极电荷(Qg):20nC
  输入电容(Ciss):1000pF
  最大工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  封装形式:TO-263

特性

GA1206Y153KXBBR31G 的主要特性包括以下几点:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),能够显著减少导通损耗。
  2. 快速的开关速度,适合高频应用环境。
  3. 高击穿电压 (Vds),提供更强的系统保护能力。
  4. 具备优异的热稳定性,能够在较宽的工作温度范围内可靠运行。
  5. 小型化封装设计,便于 PCB 布局优化。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且易于焊接加工。

应用

该芯片广泛应用于各种电力电子设备中,具体包括:
  1. 开关电源 (SMPS) 的主开关管或同步整流管。
  2. DC-DC 转换器中的功率级开关。
  3. 电机驱动电路中的功率控制元件。
  4. 电池管理系统 (BMS) 中的负载开关。
  5. 汽车电子系统中的大电流开关。
  6. 工业自动化设备中的功率调节模块。

替代型号

IRFZ44N
  STP12NK50Z
  FDP150N120AE
  IXFN120N15P2

GA1206Y153KXBBR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.015 μF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-