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NCE20N60 发布时间 时间:2025/7/22 10:15:14 查看 阅读:4

NCE20N60是一款N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于电源转换、电机控制、DC-AC逆变器以及各种高功率电子设备中。该器件采用先进的平面工艺制造,具有低导通电阻、高耐压和优异的热稳定性,适用于高效率、高可靠性的功率管理系统。NCE20N60通常采用TO-220或TO-263等封装形式,便于散热和安装。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  漏源电压(VDS):600V
  漏极电流(ID):20A(连续)
  栅极电压(VGS):±20V
  导通电阻(RDS(on)):0.22Ω @ VGS = 10V
  漏极功耗(PD):125W
  工作温度范围:-55°C ~ +150°C
  封装类型:TO-220 / TO-263

特性

NCE20N60具有多项优良的电气和物理特性,适用于高功率和高频应用。其主要特性包括:
  1. 高耐压能力:NCE20N60的漏源电压可达600V,使其适用于高电压电源转换和逆变器应用,能够承受较高的电压应力。
  2. 低导通电阻:在栅极电压为10V时,RDS(on)仅为0.22Ω,有效降低导通损耗,提高系统效率。
  3. 高电流承载能力:连续漏极电流可达20A,适用于中高功率负载应用,如电机驱动、开关电源和DC-AC逆变器。
  4. 优异的热稳定性:采用高导热封装设计,结合良好的热阻特性,使器件在高功率运行时仍能保持稳定的工作状态,延长使用寿命。
  5. 快速开关特性:NCE20N60具备较低的输入电容和开关损耗,适合高频开关应用,提高整体系统响应速度和效率。
  6. 宽工作温度范围:可在-55°C至+150°C之间稳定工作,适应多种复杂环境下的运行需求。
  7. 过载与短路保护能力:具备一定的抗短路能力和过载耐受性,提高系统的安全性和可靠性。
  8. 易于驱动:栅极驱动电压范围宽,适用于常见的MOSFET驱动电路,简化设计流程。
  9. 高可靠性:通过严格的质量控制和测试流程,确保在长期运行中具备稳定的性能表现。

应用

NCE20N60广泛应用于多种高功率电子系统中,包括:
  1. 开关电源(SMPS):如AC-DC适配器、电源模块等,用于高效能功率转换。
  2. 电机控制:用于电机驱动电路,如变频器、伺服驱动器和直流电机控制等。
  3. 逆变器系统:如太阳能逆变器、UPS不间断电源等,用于将直流电转换为交流电。
  4. 电源管理系统:如电池管理系统(BMS)、能量回收系统等。
  5. 工业自动化设备:用于PLC控制、继电器替代、负载开关等应用场景。
  6. 汽车电子:如电动车电机控制、车载充电器等高功率需求场合。
  7. LED照明驱动:用于大功率LED灯具的恒流驱动方案。

替代型号

IRF20N60, FQA20N60, STP20N60

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