时间：2025/4/30 11:23:22
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NCE15P25JK 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效功率晶体管，专为高频开关应用而设计。该器件采用了先进的增强型 GaN HEMT 技术，具有极低的导通电阻和快速的开关速度，适用于电源管理、无线充电、D类音频放大器以及其他高频功率转换场景。
这款功率晶体管在设计上注重提高效率和减小系统尺寸，同时具备高耐压能力以满足多种复杂应用场景的需求。
最大漏源电压：250V
连续漏极电流：15A
导通电阻：7.5mΩ
栅极电荷：38nC
开关频率：高达5MHz
封装形式：TO-247
NCE15P25JK 的主要特性包括：高击穿电压确保了其在高压环境下的稳定运行；超低导通电阻有效减少了传导损耗，从而提升了整体效率；快速开关性能降低了开关损耗并支持高频操作，这对于小型化设计至关重要；内置的 ESD 保护提高了器件的可靠性；此外，其采用的 TO-247 封装形式易于集成到现有的 PCB 设计中。
由于 GaN 技术本身的优势，这款晶体管在高频工作条件下表现出卓越的热性能和电气性能，非常适合对效率和尺寸有严格要求的应用场景。
NCE15P25JK 广泛应用于高频 DC-DC 转换器、图腾柱 PFC（功率因数校正）、无线充电发射器、D类音频放大器、激光驱动器以及各种工业电源解决方案中。其出色的开关特性和低损耗特点使其成为替代传统硅基 MOSFET 的理想选择，在需要高效率和高功率密度的场合尤为适用。
NCE12P25JK, NCE15P30JK, GS66508T
