类型：N沟道MOSFET
　　通道数：双路
　　漏源电压（VDS）：20V
　　栅源电压（VGS）：±8V
　　连续漏极电流（ID）：3.9A（每个通道）
　　导通电阻（RDS(on)）：18mΩ @ VGS=4.5V
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装：DFN5

NC75Z08M5X具备多个关键特性，使其在各种功率管理应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）为18mΩ，确保在高电流条件下仍能保持较低的功率损耗，从而提高整体系统效率。其次，该器件的工作电压范围较宽，支持从低至1.2V到最高20V的漏源电压，适用于多种低压电源系统。此外，NC75Z08M5X采用先进的沟槽式MOSFET技术，提供快速的开关性能，减少开关损耗并提升响应速度。
　　该MOSFET的双路配置允许用户在单个封装中集成两个独立的MOSFET，有助于减少PCB布局空间并简化设计。其DFN5封装具备优良的热性能，能够有效散热，确保在高负载条件下稳定运行。另外，该器件具有高雪崩能量耐受能力，能够在瞬态条件下提供更高的可靠性和耐用性。最后，NC75Z08M5X的栅极驱动电压范围为±8V，兼容多种常见的逻辑电平驱动器，方便与数字控制器或PWM控制器直接连接。

NC75Z08M5X广泛应用于多个领域，包括但不限于电源管理系统、同步整流器、负载开关、DC-DC降压和升压转换器、LED驱动电路、电池管理系统（BMS）、电机控制模块以及各种便携式电子产品。其双路N沟道MOSFET的结构使其非常适合用于H桥驱动、双向开关和多相电源转换系统。在工业自动化、通信设备、消费类电子产品和汽车电子系统中，NC75Z08M5X都能提供稳定、高效的功率控制解决方案。

Si2302DS, AO4406A, FDS6680, BSS138K