IS62C1024L-70T 时间：2025/9/1 8:35:58 阅读：9

IS62C1024L-70T是一款由ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc.）制造的高速静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该芯片具有1Mbit的存储容量，组织方式为128K x 8，适用于需要高速数据存取的应用场合。该SRAM芯片采用CMOS技术制造，具有低功耗、高速访问和高可靠性等优点。封装形式为TSOP（Thin Small Outline Package），适合嵌入式系统、工业控制设备以及网络设备等应用。

参数

容量：1Mbit
　　组织方式：128K x 8
　　访问时间：70ns
　　电源电压：3.3V
　　封装类型：TSOP
　　引脚数量：54
　　工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　功耗：典型电流约100mA（待机模式下电流小于10mA）
　　接口类型：并行接口

特性

IS62C1024L-70T采用了先进的CMOS工艺，确保了高速和低功耗的特性。其访问时间为70ns，适用于需要快速数据读写的应用场景。
　　该芯片在待机模式下的电流消耗极低，通常小于10mA，有助于降低系统功耗，延长设备电池寿命。
　　支持工业级温度范围（-40°C 至 +85°C），确保在恶劣环境下仍能稳定工作。
　　封装形式为54引脚TSOP，尺寸较小，便于在紧凑的PCB布局中使用。
　　该SRAM无需刷新操作，数据保持时间与电源供应直接相关，只要保持供电，数据就不会丢失。
　　IS62C1024L-70T具有高抗干扰能力，适用于电磁环境复杂的工业现场应用。

应用

IS62C1024L-70T广泛应用于需要高速存储和低功耗设计的嵌入式系统中，如工业自动化控制设备、数据采集系统、通信模块和网络交换设备。
　　该芯片也常用于图像处理设备、音频/视频流媒体设备以及需要临时数据缓存的嵌入式应用。
　　此外，IS62C1024L-70T还可用于高性能微控制器系统中的外部数据存储器扩展，提升系统的运行效率。
　　由于其工业级温度范围和高可靠性，它也适用于医疗设备、测试仪器和航空航天等对稳定性要求较高的领域。