产品类型：多层陶瓷电容器（MLCC）
　　电容值：220pF
　　电容公差：±0.05pF
　　额定电压：100V
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　温度系数：C0G（NP0）
　　封装尺寸：0402（1.0mm x 0.5mm）
　　频率特性：适用于高达16GHz
　　介质材料：C0G（NP0）陶瓷
　　失效率：低，符合高可靠性标准
　　ESR：极低
　　ESL：极低

NBS16GLF-2-221的最大优势之一在于其采用C0G（NP0）类温度补偿型陶瓷介质材料，这种材料在整个工作温度范围内具有几乎零温度系数，即电容值不会随温度变化而发生显著漂移，保证了电路参数的高度稳定性。这对于射频放大器偏置网络、振荡器调谐电路以及精密滤波器设计至关重要。此外，C0G材料还具备极低的介电损耗（tanδ），即使在高频下也能维持高效的能量传输效率，减少信号衰减与热损耗。
　　该器件的结构设计优化了内部电极布局，大幅降低了有效串联电感（ESL）和有效串联电阻（ESR），从而使其自谐振频率（SRF）显著提高，能够在16GHz以下的宽频带内保持良好的电容行为，避免因接近或超过SRF而导致的容性到感性的转变问题。这一点对于毫米波通信、相控阵雷达前端模块中的高频去耦尤为关键。
　　NBS16GLF-2-221还具备优异的机械强度和抗热冲击能力，能够承受多次回流焊过程而不产生裂纹或性能退化。其端电极采用贵金属材料（如银钯合金）并进行多层镀镍/金处理，增强了焊接可靠性和长期环境耐久性。此外，该器件通过了严格的可靠性验证测试，包括高温寿命试验、温度循环、高压蒸煮（PCT）等，适用于航空航天、军事电子和医疗设备等对失效率有严格要求的应用场景。
　　由于其超小尺寸（0402）和卓越的高频性能，NBS16GLF-2-221特别适合用于高密度SMT组装的射频模块中，例如5G基站PA输出匹配网络、毫米波传感器前端、高速数据链路耦合电路等。它不仅能提升系统整体性能，还能有效缩小PCB面积，满足现代电子产品小型化、轻量化的发展趋势。

NBS16GLF-2-221主要应用于高频、超高频及微波频段的电子系统中，典型使用场景包括但不限于：射频功率放大器的输入/输出匹配网络，用于实现最佳阻抗匹配以提升增益和效率；低噪声放大器（LNA）的直流偏置旁路，确保高频信号不受电源噪声干扰；压控振荡器（VCO）和锁相环（PLL）中的调谐电路，提供稳定且不受温度影响的电容值以维持频率精度；以及在宽带滤波器、定向耦合器和天线调谐单元中作为关键元件参与信号路径构建。
　　在通信基础设施方面，该器件广泛用于4G/5G宏基站、小基站、毫米波回传系统和卫星通信终端设备中，承担高频信号耦合、去耦和滤波任务。在国防和航空航天领域，NBS16GLF-2-221被集成于雷达系统、电子战设备、导弹导引头和航天器遥测系统中，因其高可靠性和极端环境适应能力而备受青睐。
　　此外，在高端测试与测量仪器（如矢量网络分析仪、频谱仪）中，该电容器用于校准电路和参考通路，确保测量结果的准确性和重复性。其稳定的电气性能也使其适用于医疗成像设备中的高频信号处理模块，以及工业自动化领域的无线传感网络节点。总之，凡是对频率稳定性、温度稳定性和长期可靠性有严苛要求的高频电路，NBS16GLF-2-221都是理想的选择。

NBS16GLF-2-220
　　NBS16GLF-2-222
　　ATC100E221J100XT
　　GRM1555C1H101JA01D