时间：2025/8/20 0:20:40
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NB694GD-Z是一款由ON Semiconductor生产的双极型晶体管（BJT），属于NPN型晶体管。该器件设计用于高频放大和开关应用，广泛应用于射频（RF）和音频放大器、振荡器、脉冲放大器以及通用开关电路中。NB694GD-Z具有良好的高频性能和较低的噪声系数，适合对信号放大质量要求较高的场合。该晶体管采用SOT-23封装，便于在PCB上安装，并具有良好的热稳定性和电气性能。
晶体管类型：NPN
集电极-发射极电压（Vce）：30V
集电极电流（Ic）：100mA
功率耗散（Pd）：300mW
频率（fT）：100MHz
直流电流增益（hFE）：110-800（根据等级不同）
封装类型：SOT-23
NB694GD-Z晶体管具有出色的高频响应，适用于100MHz范围内的信号放大和处理。其低噪声特性使其在前置放大器等应用中表现出色。此外，该晶体管的hFE值范围较宽，可以根据不同的应用需求选择适当的增益等级。SOT-23封装形式使其体积小巧，适用于高密度PCB布局。NB694GD-Z还具备良好的热稳定性，在不同工作温度下仍能保持稳定的电气性能。此外，其结构设计优化，具有较低的基极-发射极电压（Vbe），有助于降低功耗并提高能效。由于其优异的开关特性，该晶体管也可用于高速数字电路中的信号切换。
该器件的工作温度范围通常为-55°C至+150°C，适用于工业级和汽车电子应用。其结构和材料均符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺。在高频放大器设计中，NB694GD-Z因其优异的线性度和低失真性能而受到青睐。同时，该晶体管的稳定性和可靠性使其成为许多通用电子系统中的首选元件。
NB694GD-Z广泛应用于射频和音频放大器电路中，尤其是在低噪声前置放大器、高频振荡器和信号调节电路中表现优异。该晶体管也常用于数字电路中的高速开关应用，例如在脉冲调制和信号控制电路中作为关键的开关元件。此外，NB694GD-Z还可用于传感器接口电路、电压调节器、LED驱动电路以及各种便携式电子产品中的信号处理模块。在通信设备中，该晶体管常用于无线接收机和发射机的前端放大器部分，确保信号的高效传输与处理。
BC547, 2N3904, PN2222A
