DRV5013BCELPEM 是德州仪器 (TI) 推出的一款霍尔效应传感器集成电路。该器件具有高灵敏度和低功耗的特点,适用于需要精确位置检测或速度测量的应用场景。它能够根据磁场的变化输出数字信号,并且内部集成了温度补偿电路,确保在不同工作环境下的稳定性能。
DRV5013 系列产品采用小型 SOT-23 封装,便于设计到紧凑型系统中。其主要用途包括接近检测、旋转编码器、液位传感等。
供电电压:1.8V 至 3.6V
工作温度范围:-40°C 至 +125°C
响应时间:700ns(典型值)
输出类型:CMOS 数字输出
静态电流:1.2μA(关断模式),100μA(运行模式)
磁灵敏度:-25G 至 +25G(可调阈值)
DRV5013BCELPEM 的核心特性包括以下几点:
1. 高灵敏度的霍尔传感器能够在弱磁场条件下提供可靠的检测性能。
2. 内部集成的温度补偿功能保证了其在宽温范围内的一致性表现。
3. 超低功耗设计使得该芯片非常适合电池供电设备。
4. 提供用户可配置的极性选择功能,支持锁存或非锁存模式操作。
5. 坚固的电磁兼容性设计使其在噪声环境下依然保持稳定工作。
6. 支持多种应用场合,例如无刷直流电机换向、齿轮检测、流量计等。
DRV5013BCELPEM 广泛应用于需要精准磁场检测的领域,包括但不限于以下方面:
1. 消费电子:如手机翻盖检测、笔记本电脑开关检测。
2. 工业自动化:旋转编码器、线性位置传感器。
3. 汽车电子:用于变速箱档位检测、油门踏板位置监测。
4. 家用电器:洗衣机滚筒位置检测、风扇速度控制。
5. 医疗设备:液体流量计、阀门开闭状态监控。
DRV5013BCPLPIM, DRV5013BCSLPIM