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NB685GQ-Z 发布时间 时间:2025/8/20 6:40:58 查看 阅读:20

NB685GQ-Z是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)生产的双极型晶体管(BJT),属于NPN型晶体管。该晶体管设计用于高频放大和开关应用,具有良好的性能和可靠性。NB685GQ-Z广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备以及汽车电子等领域。其封装形式为SOT-223,便于散热并适用于表面贴装技术。

参数

类型:NPN型晶体管
  最大集电极-发射极电压(VCEO):100V
  最大集电极电流(IC):1.5A
  最大功耗(PD):1.5W
  最大工作温度:150°C
  封装类型:SOT-223
  增益(hFE):在2mA时为110至800(根据等级不同)
  过渡频率(fT):100MHz
  最大集电极-基极电压(VCBO):100V
  最大发射极-基极电压(VEBO):5V

特性

NB685GQ-Z晶体管具备多项优良特性,适合高频和中功率应用。
  首先,该晶体管的最大集电极-发射极电压(VCEO)为100V,支持较高的电压操作,适用于多种电源管理电路和放大电路。其最大集电极电流为1.5A,能够驱动中等功率负载,如继电器、电机和LED阵列。
  其次,NB685GQ-Z的增益(hFE)范围较广,根据不同的等级,其增益值可在110至800之间变化,这使得它适用于不同放大需求的电路设计。此外,其过渡频率(fT)高达100MHz,表明该晶体管在高频应用中具有良好的响应能力,适用于射频放大器和开关电源中的控制电路。
  封装方面,NB685GQ-Z采用SOT-223封装,具有较好的散热性能,并且适用于表面贴装技术,便于在PCB上安装和焊接。该封装还具备良好的机械稳定性和热稳定性,适合在各种环境条件下使用。
  此外,该晶体管的工作温度范围较宽,最高可达150°C,适用于高温环境下运行的设备。这使得NB685GQ-Z在工业自动化、汽车电子和户外通信设备中具有广泛的应用前景。

应用

NB685GQ-Z晶体管广泛应用于多个领域。在消费电子方面,可用于音频放大器、电源适配器和LED照明控制电路。在工业控制中,该晶体管可作为继电器驱动器、电机控制器和传感器信号放大器。在通信设备中,NB685GQ-Z可用于射频放大模块和数据传输电路。
  此外,该晶体管也常用于开关电源(SMPS)中的控制电路,提供高效稳定的开关性能。在汽车电子系统中,如车载充电器、灯光控制系统和电动窗控制模块,NB685GQ-Z也能发挥良好的作用。
  由于其SOT-223封装具备良好的散热能力,因此在需要高可靠性和高稳定性的应用中,如工业设备和安防系统中,该晶体管也是理想的选择。

替代型号

BCX70G、PN2222A、2N3904

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