类型：MOSFET（双N沟道增强型）
　　漏源电压（VDS）：20V
　　栅源电压（VGS）：±12V
　　连续漏极电流（ID）：5.8A（每个通道）
　　导通电阻（RDS(on)）：23mΩ（典型值，VGS=4.5V）
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TSSOP-8

NB680AD MOSFET具有多项优异特性，首先其双N沟道设计使其在一个封装内提供两个独立的MOSFET通道，节省了PCB空间并提高了系统集成度。其次，该器件的导通电阻（RDS(on)）仅为23mΩ（典型值），在4.5V栅极驱动电压下可实现高效能，降低导通损耗，提高系统效率。此外，NB680AD具有良好的热稳定性，能够在高负载条件下保持稳定运行，适用于高频开关应用。其TSSOP-8封装形式支持表面贴装工艺，便于自动化生产。最后，该器件符合RoHS环保标准，无卤素，符合现代电子产品对环保的要求。
　　在动态性能方面，NB680AD具备快速开关能力，降低开关损耗，适用于DC-DC转换器、同步整流器等高频率应用。其栅极电荷（Qg）较低，有助于减少驱动电路的功率消耗。此外，该MOSFET具备良好的抗雪崩能力和较高的耐用性，可在严苛环境下稳定工作。因此，NB680AD不仅适用于便携式设备中的电源管理电路，也可广泛应用于工业控制、通信设备和汽车电子系统中。

NB680AD主要应用于以下领域：首先，在电源管理系统中，它可用于负载开关、电源分配和电池管理，尤其是在需要高效能和小尺寸解决方案的便携式设备中。其次，在DC-DC转换器中，由于其低导通电阻和快速开关特性，可显著提高转换效率，减少发热。此外，该器件还可用于电机驱动和H桥电路，适用于小型电机或风扇控制。在工业自动化系统中，NB680AD可用于控制继电器、LED驱动和传感器供电。最后，在汽车电子领域，该MOSFET可用于车身控制模块、车载充电系统以及车载信息娱乐系统的电源管理部分。

Si3442DV-T1-GE3, BSS8400DC, AO3401A