类型：双极型晶体管（BJT）阵列
　　晶体管数量：2个NPN晶体管
　　封装类型：16引脚SSOP
　　最大集电极-发射极电压（Vceo）：30V
　　最大集电极电流（Ic）：100mA（每个晶体管）
　　最大功耗：200mW
　　增益带宽积（fT）：250MHz
　　电流增益（hFE）：100至800（取决于工作电流）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　存储温度范围：-65°C至+150°C

NB672GL-Z具有多个关键特性，使其在复杂的电子系统中表现出色。首先，其内部集成的两个NPN晶体管共享一个集电极连接，能够有效减少PCB（印刷电路板）空间占用，提高电路设计的紧凑性。这种结构设计在需要多个晶体管配合工作的应用场景中（如差分放大器、电流镜等）尤为有用。其次，该器件的工作电压范围较宽，集电极-发射极电压最大可达30V，适用于多种电源电压条件下的电路设计。此外，NB672GL-Z的高频响应能力达到250MHz，使其能够在高频放大和射频（RF）相关应用中保持良好的性能表现。
　　在电气特性方面，NB672GL-Z的电流增益（hFE）范围为100至800，具体数值取决于工作电流的大小。这一特性使得该器件能够在不同的工作条件下保持稳定的增益性能，适用于需要高精度信号放大的场合。同时，该器件的最大集电极电流为100mA，足以满足大多数低功耗应用的需求。NB672GL-Z的功耗限制为200mW，确保在正常工作条件下不会因过热而损坏，同时也降低了对散热设计的要求。
　　该器件的工作温度范围为-55°C至+150°C，能够在极端环境条件下保持稳定运行。这使得NB672GL-Z适用于工业控制、汽车电子等对环境适应性要求较高的应用场景。其存储温度范围同样宽泛，从-65°C至+150°C，确保了器件在运输和存储过程中的可靠性。NB672GL-Z的16引脚SSOP封装形式不仅减小了整体尺寸，还提供了良好的热管理和电气性能，适用于表面贴装技术（SMT），提高了生产效率和产品可靠性。

NB672GL-Z的应用范围广泛，涵盖了多个电子工程领域。首先，在通信设备中，NB672GL-Z可用于信号放大和射频前端电路的设计。其高频响应能力和稳定的增益特性使其在无线通信系统中能够有效提升信号质量和传输效率。其次，在工业控制系统中，该器件可用于传感器信号调理、电机驱动控制以及电源管理电路的设计。其高集成度和紧凑的封装形式有助于减少设备体积，提高系统的可靠性和稳定性。
　　在消费电子产品领域，NB672GL-Z常用于音频放大器、数字逻辑电路以及电源转换模块的设计。例如，在便携式音频设备中，该器件可以作为前置放大器使用，提升音频信号的清晰度和动态范围。在数字电路中，NB672GL-Z可用于构建逻辑门电路、触发器等基础元件，实现复杂的功能控制。此外，该器件还适用于电源管理系统中的开关控制和稳压调节，确保设备在不同负载条件下的稳定运行。
　　在汽车电子应用中，NB672GL-Z可用于车载导航系统、车身控制模块以及发动机管理系统等关键部件。其宽工作温度范围和高可靠性使其能够在汽车复杂的工作环境中保持稳定性能，确保系统的安全性和耐用性。此外，该器件还可用于LED照明驱动电路的设计，提供高效的电流控制和调光功能，适用于室内外照明系统。

NB672GL-Z的替代型号包括NXP Semiconductors的PBSS401YT,215和ON Semiconductor的MMBTA42LT1G。