类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：60V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：150A（在Tc=25℃）
　　导通电阻（Rds(on)）：最大6.1mΩ（在Vgs=10V时）
　　功率耗散（Pd）：200W
　　工作温度范围：-55℃ ~ 150℃
　　封装类型：PowerPAK SO-8

MD1501A06PPL 采用了先进的沟槽式结构技术，使其在同类产品中具备更低的导通电阻，从而显著降低了导通损耗，提高了电源转换效率。其低栅极电荷（Qg）特性有助于减少开关损耗，使得器件在高频开关应用中表现优异。
　　该MOSFET具有出色的热管理能力，得益于其PowerPAK SO-8封装设计，能够有效将热量从芯片传导至PCB，从而提高系统的稳定性和可靠性。此外，MD1501A06PPL 还具备较高的雪崩能量耐受能力，增强了其在异常工作条件下的耐用性。
　　该器件的封装形式为无铅封装，符合RoHS环保标准，适用于现代电子产品对环保材料的严格要求。其高耐压能力和大电流承载能力使其成为汽车电子、工业电源、服务器电源和通信设备中理想的功率开关元件。

MD1501A06PPL 广泛应用于多种电源管理和功率转换系统中，包括但不限于同步整流DC-DC转换器、负载开关、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）、不间断电源（UPS）、服务器和通信电源模块等。
　　在汽车电子领域，该器件可用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）、电池管理系统以及车载信息娱乐系统的电源模块。在工业自动化和控制系统中，MD1501A06PPL 可作为高效能开关元件用于PLC模块、工业电机控制和工业电源设备。
　　由于其优异的导通性能和高频响应能力，该MOSFET也常用于高频电源转换器和功率因数校正（PFC）电路中，以实现更高的能效和更小的系统尺寸。

Si7461DP, NexFET CSD15010Q5B, Infineon BSC060N04LS G, ON Semiconductor NVTFS5C471NL, STMicroelectronics STB150N6F7AG