时间：2025/4/27 17:50:08
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DTA014EEBTL 是一款高效率、低噪声的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的半导体工艺制造，具有出色的电气性能和可靠性，广泛应用于开关电源、电机驱动、负载开关和其他功率管理应用中。
其封装形式为 TO-252 (DPAK)，能够提供良好的散热性能和坚固的机械结构，非常适合需要高效功率转换的应用场景。
最大漏源电压 Vds：60V
最大栅源电压 Vgs：±20V
连续漏极电流 Id：48A
导通电阻 Rds(on)：1.7mΩ（典型值，Vgs=10V）
总栅极电荷 Qg：39nC
输入电容 Ciss：2090pF
输出电容 Coss：210pF
反向传输电容 Crss：51pF
工作温度范围 Tj：-55°C 至 +175°C
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，可显著降低导通损耗，提升系统效率。
2. 高速开关性能，适用于高频开关应用。
3. 优异的热稳定性，能够在较宽的工作温度范围内保持稳定的性能。
4. 具有强大的雪崩能量承受能力，增强了器件在异常情况下的鲁棒性。
5. 小尺寸封装，便于 PCB 布局设计。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足现代电子产品的法规要求。
1. 开关模式电源 (SMPS) 中的主开关或同步整流元件。
2. 电机驱动电路中的功率级开关。
3. 负载开关和保护电路中的功率开关。
4. DC/DC 转换器中的功率 MOSFET。
5. 电池管理系统 (BMS) 中的功率分配开关。
6. 各类工业控制和消费类电子产品中的功率管理模块。
DTA014EHEBTL, IRFZ44N, FDP5512
