NB671AGQ-LF-Z 时间：2025/8/19 19:53:53 阅读：15

NB671AGQ-LF-Z是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）设计的高性能、低功耗的双极型晶体管（BJT）阵列芯片。该芯片集成了两个独立的NPN晶体管，采用先进的制造工艺，具有优异的高频响应和稳定性。NB671AGQ-LF-Z广泛应用于需要高可靠性、高集成度的电子系统中，特别是在通信、工业控制、消费电子和汽车电子领域中具有广泛应用。该器件符合RoHS环保标准，并采用无铅封装，适用于环保要求较高的应用场景。

参数

类型：双极型晶体管（NPN x2）
　　封装类型：TSSOP
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：30V
　　最大集电极电流（Ic）：100mA
　　最大功耗（Pd）：300mW
　　电流增益（hFE）：110至800（取决于工作条件）
　　过渡频率（fT）：100MHz
　　安装类型：表面贴装（SMD）

特性

NB671AGQ-LF-Z具备多个显著的技术和性能特点，首先，其内部集成的两个NPN晶体管具有高度匹配的电气特性，非常适合需要对称设计的模拟电路和数字开关应用。其次，该芯片支持高达100MHz的过渡频率（fT），使其在高频放大电路中表现优异，能够满足射频（RF）和高速数字电路的设计需求。
　　此外，NB671AGQ-LF-Z采用了先进的硅外延平面技术，提供了良好的热稳定性和抗静电能力，能够在恶劣的环境条件下稳定工作。其低功耗设计也使其适用于电池供电设备和便携式电子产品。
　　该芯片的封装采用TSSOP形式，体积小巧，适合高密度PCB布局，同时具备良好的散热性能。由于其双晶体管结构，NB671AGQ-LF-Z可以用于构建差分放大器、达林顿对管、逻辑门电路、电平转换器等电路结构，极大地提高了设计的灵活性和系统的集成度。
　　在可靠性方面，NB671AGQ-LF-Z通过了严格的AEC-Q101汽车电子标准认证，适用于汽车电子控制系统中的关键电路。

应用

NB671AGQ-LF-Z的应用领域十分广泛。在通信系统中，它可用于射频信号放大、混频器和调制解调电路的设计。在工业控制领域，该芯片常用于传感器信号调理、电机驱动控制电路和逻辑控制模块。在消费电子产品中，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，NB671AGQ-LF-Z可用于电源管理、信号转换和接口电路设计。
　　此外，在汽车电子中，该器件可用于车身控制模块（BCM）、车载娱乐系统、LED照明驱动电路和车载传感器接口电路。由于其高频特性，它也适用于无线充电模块、蓝牙模块和Wi-Fi模块中的射频开关和放大电路。
　　对于需要高集成度和高稳定性的设计场景，NB671AGQ-LF-Z是一个理想的选择。例如，在精密模拟电路中，可以利用其匹配的晶体管对构建高精度的差分放大器；在数字电路中，可用于构建高速逻辑门或缓冲器。