时间：2025/5/9 14:13:57
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BS250-TRI是一种N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于需要高效开关和低导通损耗的电路中。该器件具有较低的导通电阻，能够在高电流应用中提供卓越的性能。其封装形式为TO-220，能够有效散热并适合多种工业及消费类电子设备。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
最大漏极电流：16A
导通电阻：0.18Ω
功耗：100W
工作温度范围：-55℃至150℃
BS250-TRI具备低导通电阻，从而减少了导电时的能量损耗，提高了整体效率。同时，该器件具有快速开关能力，适合高频应用。由于采用TO-220封装，它具备良好的热性能，能承受较高的结温，这使得它在功率转换、电机驱动以及负载开关等场景下表现出色。
此外，BS250-TRI拥有较强的抗雪崩能力，可以在异常条件下保护电路免受损坏。这些特点使其成为许多功率管理解决方案的理想选择。
BS250-TRI适用于直流到直流转换器、开关电源、电池充电电路、电机控制电路以及其他需要高效功率切换的应用场景。它也常用于过流保护电路和负载开关设计，以确保系统运行的安全性和稳定性。
IRF540N, BUZ11
