时间：2025/8/20 19:43:39
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NB670AGQ-P是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的高性能、高边和低边栅极驱动器芯片，专为驱动功率MOSFET和IGBT等功率器件而设计。该芯片广泛应用于开关电源、电机控制、逆变器、UPS系统以及工业自动化设备等高功率场合。NB670AGQ-P采用了高耐压工艺制造，支持高达600V的工作电压，能够提供强劲的驱动能力和稳定的工作性能。
工作电压范围：10V至20V
输出驱动电流（峰值）：±0.5A
最大工作电压：600V
传输延迟时间：典型值120ns
死区时间可调：支持
工作温度范围：-40°C至+150°C
封装形式：16引脚SSOP（GQ-P）
高边悬浮电压：最大600V
低边接地参考电压：最高600V
NB670AGQ-P是一款双通道栅极驱动器，包含一个高边驱动器和一个低边驱动器，分别用于驱动上桥臂和下桥臂的功率开关器件。其高边驱动器采用自举供电方式，能够适应高电压、高频的应用环境。芯片内部集成了欠压保护（UVLO）功能，当电源电压低于设定阈值时，自动关闭输出，防止功率器件工作在非安全状态。
此外，NB670AGQ-P具备出色的抗干扰能力，能够有效抑制高dv/dt噪声对驱动信号的影响，确保驱动信号的稳定性。其输出端具备互锁功能，防止上下桥臂同时导通，从而避免直通电流的发生，提高系统的可靠性。
该芯片的封装采用16引脚SSOP封装，体积小巧，便于PCB布局，并具有良好的热性能。NB670AGQ-P的工作温度范围宽，适用于各种工业级应用环境。
NB670AGQ-P广泛应用于各种需要高可靠性和高效率的功率转换系统中。常见的应用包括无刷直流电机驱动器、逆变器、UPS不间断电源、DC-AC转换器、工业变频器、智能功率模块（IPM）驱动电路等。由于其高耐压能力和强大的驱动性能，该芯片在新能源汽车、太阳能逆变器、工业自动化控制等领域也有广泛应用。
NCP5101P | IR2110S | FAN7382S | LM5101B-Q1
