NB650HGLZ是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)生产的高性能双极型晶体管(BJT),专为高功率和高频率应用设计。该晶体管采用了先进的制造工艺,具备卓越的电气性能和可靠性,广泛应用于音频放大器、开关电源以及高频放大电路等领域。NB650HGLZ属于NPN型晶体管,具有较高的电流增益和良好的热稳定性,适用于需要高效能和高可靠性的电子系统。
晶体管类型:NPN
最大集电极-发射极电压(VCEO):100V
最大集电极电流(IC):30A
最大功耗(PD):150W
电流增益(hFE):在IC=2A时典型值为50
过渡频率(fT):5MHz
封装类型:TO-247
NB650HGLZ晶体管具备多项优异特性,使其在高功率应用中表现出色。首先,其最大集电极-发射极电压(VCEO)达到100V,能够承受较高的电压应力,适用于高电压放大和开关应用。其次,晶体管的最大集电极电流为30A,确保在大电流条件下仍能稳定运行,适合用于功率放大器和电源转换器。
该晶体管的最大功耗为150W,配合TO-247封装良好的散热性能,能够有效应对高功率工作环境下的热管理挑战。此外,NB650HGLZ在IC=2A时的典型电流增益(hFE)为50,保证了在不同负载条件下都能提供稳定的放大性能。
其过渡频率(fT)为5MHz,使该晶体管能够在较高频率下保持良好的增益特性,适用于中高频放大电路。晶体管内部结构优化,降低了寄生电容和电阻,提高了开关速度和频率响应。此外,NB650HGLZ还具备良好的热稳定性和抗过载能力,能够在复杂工作环境下保持长期稳定运行。
NB650HGLZ广泛应用于多种高功率电子系统中。其主要应用领域包括音频功率放大器、开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机驱动电路以及高频放大器。在音频放大器设计中,NB650HGLZ能够提供高保真度的音频输出,适用于专业音响设备和高功率扬声器系统。
在开关电源中,该晶体管可用于构建高效的功率级电路,提升整体能效并减少热量产生。此外,在电机控制和工业自动化系统中,NB650HGLZ可作为功率开关元件,实现对电机速度和方向的精确控制。
由于其良好的高频特性,NB650HGLZ也可用于构建高频放大器和射频(RF)功率放大电路。在工业加热设备和超声波清洗设备中,该晶体管常用于高频逆变器电路,提供稳定可靠的功率输出。
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