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IXTA2N100 发布时间 时间:2025/12/26 19:36:19 查看 阅读:11

IXTA2N100是一款由IXYS公司生产的高电压、低电流的N沟道绝缘栅双极型晶体管(IGBT),主要用于需要高电压阻断能力和高效开关性能的电源转换应用。该器件设计用于工业控制、电源系统以及各种中等功率开关电路中,能够在高达1000V的集电极-发射极电压下稳定工作,适合于对可靠性和热稳定性要求较高的场合。IXTA2N100采用TO-220AB封装形式,具备良好的散热能力,同时其内部结构优化了开关损耗与导通损耗之间的平衡,提升了整体效率。这款IGBT结合了MOSFET驱动简单和BJT导通压降低的优点,能够以较低的栅极驱动功率实现对较大负载电流的有效控制。由于其额定电流为2A,在小功率逆变器、开关电源(SMPS)、UPS系统及电机驱动等应用中表现出色。此外,该器件具有较强的抗雪崩能力和过载耐受性,能够在瞬态条件下保持稳定运行。IXYS作为知名的功率半导体制造商,确保了IXTA2N100在制造工艺和质量控制方面达到工业级标准,适用于严苛的工作环境。
  该IGBT的栅极阈值电压适中,便于与常见的逻辑电平驱动电路兼容,同时也支持脉宽调制(PWM)控制策略,广泛应用于需要精确功率调节的场景。为了保障长期可靠性,IXTA2N100还具备优良的热阻特性,并可通过外接散热片进一步提升热管理性能。总体而言,IXTA2N100是一款面向中高压、中小电流应用场景的高度集成化功率开关器件,凭借其稳健的设计和成熟的制造技术,在多种电力电子系统中发挥着关键作用。

参数

型号:IXTA2N100
  器件类型:N沟道IGBT
  最大集电极-发射极电压(VCEO):1000 V
  最大集电极电流(IC):2 A
  最大工作结温(Tj):150 °C
  栅极阈值电压(VGE(th)):4.0 ~ 6.0 V
  饱和压降(VCE(sat) @ IC=2A, VGE=15V):约3.0 V
  输入电容(Ciss):约120 pF
  输出电容(Coss):约35 pF
  反向恢复时间(trr):典型值75 ns
  封装形式:TO-220AB
  功耗(PD):50 W

特性

IXTA2N100的电气与结构特性使其在同类中小功率IGBT产品中具有较高的竞争力。首先,其1000V的高电压阻断能力使得该器件非常适合用于高压直流电源、离线式开关电源以及工业感应加热系统等需要承受高瞬态电压的应用场景。在导通状态下,该IGBT的集电极-发射极饱和电压较低(典型值为3.0V),这有效降低了导通损耗,提高了系统的整体能效。同时,由于采用了先进的平面栅极技术和优化的载流子注入机制,IXTA2N100在开关过程中表现出较小的开关损耗,尤其在高频操作条件下仍能维持良好的热稳定性。其输入电容和输出电容数值较低,意味着在高频切换时所需的驱动能量较少,有助于简化驱动电路设计并减少电磁干扰(EMI)。
  另一个显著特点是其优异的热性能。TO-220AB封装不仅提供了机械强度和电气隔离,而且具备较低的热阻(Rth(j-c)约为2.5°C/W),使芯片产生的热量能够快速传导至外部散热器,从而避免因局部过热导致的性能下降或器件失效。此外,该器件具备良好的短路耐受能力和抗雪崩能量吸收能力,能够在异常工况如负载突变或电源波动时提供一定程度的自我保护。栅极氧化层经过严格工艺控制,确保了长期使用的可靠性和抗静电击穿能力。IXTA2N100还支持并联使用,多个器件可协同工作以承载更大电流,适用于需要扩展功率等级的设计。综合来看,这些特性共同构成了一个高性能、高可靠性的功率开关解决方案,满足现代电力电子设备对小型化、高效化和长寿命的需求。

应用

IXTA2N100广泛应用于多种中低压电力电子系统中,尤其适用于那些要求高电压操作但电流需求不大的场合。典型应用包括开关模式电源(SMPS),特别是在反激式或正激式拓扑结构中作为主开关元件,利用其高耐压和低驱动电流的优势实现高效的AC-DC或DC-DC转换。在不间断电源(UPS)系统中,该IGBT可用于逆变器级,将直流电转换为交流输出,其稳定的开关特性和良好的温度适应性确保了UPS在不同负载条件下的持续供电能力。此外,它也被用于小型逆变器设计,例如太阳能微逆变器或便携式储能设备中的DC-AC转换模块,其中对体积、效率和可靠性均有较高要求。
  在工业控制领域,IXTA2N100常被用作电机驱动器中的功率开关,尤其是在风扇、泵类或小型伺服系统的脉宽调制(PWM)驱动电路中,通过调节占空比来控制电机转速和扭矩。由于其具备良好的动态响应能力和较低的驱动功耗,特别适合由微控制器直接驱动的应用。另外,该器件还可用于电子镇流器、感应加热装置和电焊机等高电压启动设备中,承担起高频振荡和能量传输的功能。在测试与测量仪器中,如高压脉冲发生器或电源模拟器,IXTA2N100也能胜任快速开关任务,提供精确的时间控制和电压切换。总而言之,其多样的应用场景体现了其在中小功率电力变换领域的通用性和实用性。

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IXTA2N100参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)1000V(1kV)
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C2A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C7 欧姆 @ 1A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs18nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds825pF @ 25V
  • 功率 - 最大100W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装TO-263
  • 包装管件