时间：2025/8/20 5:49:21
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NB650GL-Z 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）推出的双极型晶体管（BJT），属于NPN型晶体管系列。该器件设计用于高频率、高增益和低噪声的应用场景，特别适合射频（RF）和宽带放大器电路中使用。NB650GL-Z 的主要特点包括宽频率响应范围、高增益带宽积以及优异的噪声性能，因此被广泛应用于通信设备、无线基础设施和测试测量仪器中。
晶体管类型：NPN
集电极-发射极电压（Vce）：30 V
集电极-基极电压（Vcb）：35 V
发射极-基极电压（Veb）：3 V
集电极电流（Ic）：50 mA
最大功耗（Ptot）：100 mW
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
增益带宽积（fT）：6 GHz
噪声系数（NF）：0.5 dB（典型值）
封装类型：SOT-89
NB650GL-Z 具备卓越的高频性能，适用于需要高增益和低噪声的射频电路设计。其6 GHz的增益带宽积（fT）使其在高频放大器和射频信号处理中表现出色。
此外，NB650GL-Z 的噪声系数仅为0.5 dB，这在需要最小信号干扰的应用中非常重要，例如无线通信系统和高精度测试设备。
该晶体管的封装形式为SOT-89，这是一种小型表面贴装封装，具有良好的热性能和机械稳定性，非常适合高密度PCB布局和自动化装配工艺。
NB650GL-Z 的设计还考虑了温度稳定性，能够在-55°C至+150°C的宽温度范围内可靠工作，满足工业级和军事级应用的需求。
该晶体管的最大集电极电流为50 mA，最大功耗为100 mW，使其能够在低功耗设计中保持高效能表现。
NB650GL-Z 主要应用于射频放大器、低噪声放大器（LNA）、无线通信系统、测试和测量设备、宽带放大器电路以及工业控制和监测设备中。其优异的高频性能和低噪声特性使其成为射频前端设计的理想选择。此外，NB650GL-Z 也可用于需要高增益和稳定性的模拟信号处理电路。
2N5179, BFQ59, BFG21
