NB650AGLZ 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)设计和生产的同步整流控制器芯片,主要用于提高电源转换效率,尤其是在 LLC 和相移全桥(PSFB)拓扑结构中。这款芯片专为驱动外部 N 沟道 MOSFET 设计,能够有效地替代传统的肖特基二极管整流方案,从而显著提高效率并降低热损耗。NB650AGLZ 采用了先进的检测和控制技术,确保在各种工作条件下都能实现最佳的同步整流性能。
工作电压范围:4.5V - 20V
工作温度范围:-40°C 至 +125°C
最大漏极电压(VDS):30V
最大栅极驱动电压:15V
最大驱动电流:1.5A(典型值)
工作频率范围:50kHz - 2MHz
封装类型:SOIC-8
NB650AGLZ 的主要特性包括精确的电压检测和快速的开关响应能力,以确保同步整流 MOSFET 在合适的时间导通和关断,从而避免交叉导通和死区时间损失。其内置的欠压保护(UVLO)功能可以防止在输入电压过低时误操作,确保系统的稳定性和可靠性。此外,NB650AGLZ 还具有过热保护和短路保护功能,以增强系统的耐用性和安全性。
该芯片支持高侧和低侧同步整流应用,适用于多种拓扑结构,如 LLC 谐振转换器、相移全桥转换器和正激转换器。NB650AGLZ 采用 SOIC-8 封装,体积小巧,便于 PCB 布局和散热管理。
另外,NB650AGLZ 的设计考虑了易用性和兼容性,能够与多种控制器 IC 配合使用,提供灵活的系统设计选项。通过优化驱动电路和减少外部元件数量,有助于降低整体 BOM 成本并提高系统集成度。
NB650AGLZ 主要用于高效电源转换系统,如服务器电源、电信电源、工业电源、电动车充电器以及高功率适配器等。在这些应用中,NB650AGLZ 能够显著提升整流效率,减少热量产生,并提高系统的整体能效和可靠性。此外,它也适用于需要高效率和紧凑设计的 DC-DC 转换器模块和 AC-DC 电源模块。由于其宽广的工作电压范围和强大的保护功能,NB650AGLZ 在恶劣工作环境下的表现也非常稳定。
NCP4306, Si8501