LBC857BLT1G 是一款高性能的 N 没有道尔管(NPN)晶体管,适用于高频开关和功率放大器应用。该器件采用了先进的半导体制造工艺,具备高增益、低噪声和优异的热稳定性,适合要求严格的工业和通信领域。
其封装形式为 SOT-23 小型表面贴装封装,有助于节省电路板空间并提高设计灵活性。
集电极-发射极电压(Vce):45V
集电极电流(Ic):0.2A
直流电流增益(hFE):100~300
最大功耗(Ptot):360mW
过渡频率(fT):900MHz
存储温度范围:-55℃~150℃
工作结温范围:-55℃~150℃
LBC857BLT1G 具备以下主要特性:
1. 高频率响应:高达 900 MHz 的过渡频率使其非常适合高频应用,例如射频放大器和高速开关电路。
2. 高增益:直流电流增益 hFE 范围在 100 到 300 之间,保证了优秀的信号放大能力。
3. 热稳定性强:无论是低温还是高温环境,该晶体管都能保持稳定的性能。
4. 小型化封装:SOT-23 封装使它能够适应空间受限的设计场景。
5. 广泛的工作温度范围:支持从 -55°C 到 +150°C 的极端温度条件,确保可靠性。
6. 低噪声性能:适用于对信噪比要求较高的应用场景。
LBC857BLT1G 常见的应用领域包括:
1. 高频放大器:
在射频通信设备中用于信号放大。
2. 开关电路:
由于其快速的开关速度,可用于脉宽调制(PWM)和其他数字逻辑驱动。
3. 工业控制:
在各种传感器接口和驱动电路中提供高效的信号处理。
4. 无线模块:
支持无线通信系统中的功率放大需求。
5. 消费类电子产品:
应用于音频放大器和家用电器等需要小型高效解决方案的产品中。
LBC857BLET1G, LBC857BT1G