NAND98R3M0DZBB5E 是一款高性能的 NAND 闪存芯片,由知名半导体厂商生产。该芯片主要用于存储应用,具备高容量、低功耗和快速数据传输的特点。其采用先进的制程工艺,在保持稳定性和可靠性的前提下,进一步优化了读写性能,适用于消费电子、工业设备以及嵌入式系统等多种场景。
该型号具体为96层 3D TLC NAND 闪存,支持标准 Toggle Mode 2.0 接口协议,能够满足对大容量存储和高效能操作有要求的应用环境。
容量:384Gb (48GB)
接口类型:Toggle Mode 2.0
工作电压:1.8V ± 0.1V (I/O), 2.7V - 3.6V (Vcc)
封装形式:BGA 169-ball
数据传输速率:最高可达 400 MT/s
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
擦写寿命:约 3,000 次(基于 TLC 架构)
页面大小:16KB + 864 Bytes (spare area)
区块大小:2048 pages
这款 NAND 闪存芯片采用了 3D TLC 技术,能够在有限的空间内提供更大的存储容量,同时显著降低功耗。
它支持高速的 Toggle Mode 2.0 接口协议,使得数据传输效率大幅提升。此外,内置的 ECC(错误校正码)功能确保了数据存储的可靠性。
芯片具备低延迟特性和优化的能耗表现,非常适合需要持续稳定运行的嵌入式系统和工业级存储解决方案。
由于其宽泛的工作温度范围,NAND98R3M0DZBB5E 在恶劣环境下也能保持稳定性能,因此在汽车电子和户外设备领域也有广泛应用。
该芯片广泛应用于各种需要高密度存储的场景,例如固态硬盘(SSD)、U 盘、存储卡、机顶盒、路由器、监控设备、工业计算机等。
此外,由于其优异的耐久性和可靠性,NAND98R3M0DZBB5E 还可以用于汽车电子系统、医疗设备和航空航天相关产品中。
NAND98R3M0DZBB5A
NAND98R3M0DZBB5B
NAND98R3M0DZBB5C