您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > KSB601OTU

KSB601OTU 发布时间 时间:2023/12/6 11:31:48 查看 阅读:118

产品种类: 达林顿晶体管

目录

概述

制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: 达林顿晶体管
配置: Single
晶体管极性: PNP
封装 / 箱体: TO-220
集电极—发射极最大电压 VCEO: 100 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 7 V
集电极—基极电压 VCBO: 100 V
峰值直流集电极电流: 5 A
最大集电极截止电流: 10 uA
功率耗散: 1.5 W
最大工作温度: + 150

封装: Tube
集电极连续电流: - 5 A
直流电流增益 hFE 最小值: 3000 @ 3 A @ 2 V

KSB601OTU推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

KSB601OTU资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

KSB601OTU参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型PNP - 达林顿
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)5A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)100V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)1.5V @ 3mA,3A
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)3000 @ 3A,2V
  • 功率 - 最大1.5W
  • 频率 - 转换-
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220
  • 包装管件