NAND256R3A2BZA6E
时间：2023/4/11 10:06:38
阅读：586
概述
制造商：STMicroelectronics
产品种类：闪存
数据总线宽度：8 bit
存储类型：NAND Flash
存储容量：256 Mbit
结构：Sectored
封装 / 箱体：VFBGA
定时类型：Asynchronous
接口类型：Parallel
访问时间：12000 ns
电源电压（最大值）：1.95 V
电源电压（最小值）：1.7 V
最大工作电流：15 mA
最大工作温度：+ 85℃
最小工作温度：- 40℃
封装：Tray
组织：16K B x 2048
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NAND256R3A2BZA6E参数
- 标准包装1,518
- 类别集成电路 (IC)
- 家庭存储器
- 系列-
- 格式 - 存储器闪存
- 存储器类型闪存 - NAND
- 存储容量256M（32M x 8）
- 速度-
- 接口并联
- 电源电压1.7 V ~ 1.95 V
- 工作温度-40°C ~ 85°C
- 封装/外壳55-TFBGA
- 供应商设备封装55-VFBGA（8x10）
- 包装托盘
