时间：2025/5/13 14:05:54
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NAND128W3A2BN6E 是一款基于 NAND 闪存技术的存储芯片，主要用于嵌入式系统和数据存储应用。该芯片提供 128Mb（16MB）的存储容量，采用 3.3V 供电，并支持标准的 NAND 接口协议。其封装形式为 TSOP-48，适合需要高密度、低功耗存储解决方案的应用场景。
该系列芯片广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备等领域，能够满足对可靠性和性能要求较高的使用需求。
存储容量：128Mb (16MB)
接口类型：NAND Flash
工作电压：3.3V
数据宽度：8位
封装形式：TSOP-48
页大小：512字节
块大小：16KB
最大擦写次数：100,000 次
数据保存时间：10年
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
NAND128W3A2BN6E 具有以下主要特性：
1. 高密度存储：提供 128Mb 的存储空间，适合中等容量需求的应用。
2. 快速读写速度：优化了数据传输速率，可满足实时数据记录的需求。
3. 低功耗设计：工作电压为 3.3V，适用于对功耗敏感的便携式设备。
4. 可靠性高：支持高达 100,000 次擦写周期，并确保长达 10 年的数据保存时间。
5. 宽温工作范围：能够在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内稳定运行，适应各种环境条件。
6. 小型化封装：采用 TSOP-48 封装，节省 PCB 空间，便于集成到紧凑型设计中。
7. 标准 NAND 接口：兼容主流 NAND 控制器，简化系统开发流程。
NAND128W3A2BN6E 芯片适用于以下典型应用场景：
1. 嵌入式系统：如工业控制器、智能家居设备和物联网终端中的固件存储。
2. 数据记录设备：包括行车记录仪、监控摄像头和其他需要非易失性存储的设备。
3. 移动设备：用于手机、平板电脑或其他手持设备的辅助存储。
4. 消费电子产品：如电子书阅读器、MP3 播放器等需要小容量存储的设备。
5. 工业自动化：在工业环境中用作配置文件或日志数据的持久化存储。
NAND128W3A2BN6C
NAND128W3A2BN6D
