时间：2025/5/13 17:36:11
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SI7172ADP-T1-RE3 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TrenchFET 第三代技术，具有极低的导通电阻（Rds(on)）和优化的开关性能，适合在高效率、高密度电源应用中使用。其封装形式为 PowerPAK 1212-8，有助于提高散热性能并简化 PCB 布局设计。
这款 MOSFET 的电压等级为 30V，非常适合用于降压转换器、负载点 (POL) 转换、电机驱动以及电池供电设备等应用领域。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：34A
导通电阻（典型值）：1.5mΩ
栅极电荷（典型值）：76nC
输入电容：1570pF
总功耗：3.3W
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
SI7172ADP-T1-RE3 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够有效降低传导损耗，提高系统效率。
2. 采用 Vishay 的 TrenchFET 第三代技术，提供更优的开关性能。
3. 高电流承载能力，支持高达 34A 的连续漏极电流。
4. 小尺寸 PowerPAK 1212-8 封装，节省 PCB 空间，同时具备良好的热性能。
5. 工作温度范围宽广，适应各种严苛环境下的应用需求。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
SI7172ADP-T1-RE3 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流。
2. 降压 DC/DC 转换器，特别是负载点转换。
3. 电池管理系统中的保护开关。
4. 电机控制和驱动电路。
5. 各类工业自动化设备中的功率管理模块。
6. 消费电子产品的高效能电源设计。
SI7165DP, SI7179ADP
