时间：2025/5/12 9:22:20
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NAND01GW3B2CN6E 是一款由三星（Samsung）生产的 NAND 闪存芯片，主要应用于嵌入式系统、存储卡、固态硬盘（SSD）等领域。该芯片采用 3-bit MLC（TLC，Triple-Level Cell）技术，提供高密度的存储解决方案。其容量为 1Gb（相当于 128MB），适合对成本敏感且需要较大存储密度的应用场景。
该芯片支持标准的 NAND 接口协议，具有较快的数据传输速率和较低的功耗，适用于消费电子、工业控制及物联网设备等。
容量：1Gb (128MB)
存储类型：TLC (3-bit MLC)
接口：8-bit NAND
工作电压：2.7V ~ 3.6V
数据传输速率：最高可达 40 MB/s
封装形式：TSOP-48
工作温度范围：-25°C ~ +85°C
擦写寿命：约 1000 次
NAND01GW3B2CN6E 采用了 TLC 技术，能够在单个单元中存储 3 位数据，从而显著提高了存储密度并降低了单位存储成本。
这款芯片具备快速的数据吞吐能力，同时功耗相对较低，非常适合对电池续航有要求的便携式设备。
它还支持坏块管理、错误检测与纠正（ECC）等功能，有助于提高数据的可靠性和存储系统的稳定性。
此外，其 TSOP-48 封装设计便于集成到各种印刷电路板（PCB）上，简化了设计和制造流程。
NAND01GW3B2CN6E 主要用于以下领域：
1. 嵌入式系统：如机顶盒、路由器、智能家居设备等。
2. 存储卡：例如 microSD 卡、CF 卡等。
3. 固态硬盘（SSD）：作为 SSD 的核心存储组件之一。
4. 工业控制设备：包括数据记录仪、监控系统等。
5. 物联网（IoT）设备：如传感器节点、网关设备等。
K9G8G08U1M, MT29F1G08ABAEAWP
