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TSM2N7002ECU 发布时间 时间:2025/5/8 11:37:50 查看 阅读:23

TSM2N7002ECU是一款N沟道增强型MOSFET,专为高效开关和功率管理应用而设计。该器件采用先进的制造工艺,在低导通电阻和高开关速度之间实现了良好的平衡。其典型应用场景包括开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载切换等。此外,TSM2N7002ECU具有出色的热稳定性和可靠性,适合在各种工业和消费类电子产品中使用。
  该MOSFET的封装形式通常为SOT-23,这种小型化封装有助于节省PCB空间并提高整体系统集成度。通过优化的芯片设计,TSM2N7002ECU能够提供较低的导通电阻和栅极电荷,从而降低功耗并提升效率。

参数

最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  最大漏极电流(Id):2.1A
  导通电阻(Rds(on)):1.9Ω (Vgs=4.5V)
  栅极电荷(Qg):6nC
  开关时间:ton=8ns, toff=15ns
  工作结温范围:-55℃至+150℃

特性

1. 超低导通电阻,可有效减少导通损耗,提高系统效率。
  2. 快速开关速度,支持高频操作,适用于高效率电源转换。
  3. 小型SOT-23封装,便于PCB布局,同时满足紧凑型设计需求。
  4. 高雪崩能力,增强了器件在异常条件下的耐用性。
  5. 宽工作温度范围,确保在恶劣环境下的稳定运行。
  6. 栅极阈值电压经过优化,兼容常见的逻辑电平驱动电路。

应用

1. 开关模式电源(SMPS),如适配器、充电器。
  2. DC-DC转换器中的同步整流或开关元件。
  3. 电池管理系统(BMS)中的负载开关。
  4. 电机驱动电路中的功率级开关。
  5. 各类消费电子设备中的信号切换和保护电路。
  6. 工业自动化控制中的继电器替代方案。

替代型号

IRLML6402, BSS138, AO3400

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TSM2N7002ECU参数

  • 制造商Taiwan Semiconductor
  • 产品种类MOSFET
  • 晶体管极性N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压60 V
  • 闸/源击穿电压+/- 20 V
  • 漏极连续电流0.3 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)3000 mOhms
  • 配置Single
  • 最大工作温度+ 150 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体SOT-323-3
  • 封装Reel
  • 下降时间6 ns
  • 最小工作温度- 55 C
  • 功率耗散350 mW
  • 上升时间6 ns
  • 工厂包装数量3000
  • 典型关闭延迟时间7.5 ns
  • 零件号别名RF