类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：900V
　　最大栅源电压（Vgs）：±30V
　　最大连续漏极电流（Id）：8A（在TC=25℃时）
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值为1.2Ω（在Vgs=10V时）
　　功耗（Ptot）：50W
　　工作温度范围：-55℃至+150℃
　　封装形式：TO-220

N8T96N具有多项优异的电气和热性能，使其适用于多种高功率应用场景。首先，其高达900V的漏源击穿电压（Vds）使其非常适合用于高电压系统，如AC-DC电源转换器和高压马达驱动器。其次，该器件的导通电阻Rds(on)在Vgs=10V条件下仅为1.2Ω，有助于降低导通损耗，提高系统效率。
　　此外，N8T96N采用高速开关技术，具备较低的开关损耗，适合高频操作环境，从而减小外部滤波元件的尺寸并提升整体功率密度。其封装形式为TO-220，具备良好的散热性能和机械稳定性，适合在工业级环境中长期运行。
　　该MOSFET的栅极驱动电压范围宽，支持+10V至+20V之间的驱动电压，兼容多种驱动电路设计，如PWM控制器和栅极驱动IC。同时，N8T96N具备良好的抗雪崩能力，可在瞬态过压条件下提供一定的保护能力，增强系统的可靠性。
　　由于其高可靠性和良好的热稳定性，N8T96N在各种电源管理系统中被广泛采用。例如，在太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、LED驱动电源、工业自动化控制设备中均有广泛应用。

N8T96N广泛应用于各类功率电子系统中，包括但不限于：开关电源（SMPS）、AC-DC和DC-DC转换器、高压LED驱动器、电机控制模块、电池管理系统（BMS）、工业自动化设备、不间断电源（UPS）以及太阳能逆变器等。该器件的高耐压和低导通电阻特性，使其在需要高效能和高稳定性的应用中表现出色，特别适用于中高功率等级的转换系统。

STW8N90, FQA8N90C, IRF8N90