N8T16N 时间：2025/8/25 0:12:32 阅读：3

N8T16N 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高效率、高频率的开关应用，适用于电源管理、DC-DC 转换器、电机控制和负载开关等多种电子系统。N8T16N 采用先进的制造工艺，具备低导通电阻（Rds(on)）、高耐压能力和良好的热稳定性，适合在高要求的工业和消费类应用中使用。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：100V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：80A（在25°C下）
　　导通电阻（Rds(on)）：16mΩ（最大，在Vgs=10V时）
　　最大功耗（Pd）：200W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-220、D2PAK（取决于具体型号）

特性

N8T16N MOSFET 具备多项优异特性，使其在高性能功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）仅为 16mΩ，有助于减少导通损耗，提高系统效率。该器件的高电流承载能力（最大连续漏极电流为 80A）使其适用于高功率密度设计。
　　其次，N8T16N 具有良好的热稳定性，其封装设计能够有效散热，确保在高负载条件下仍能保持稳定运行。此外，其最大漏源电压为 100V，可支持广泛的电源管理应用，包括同步整流、负载开关和马达控制等。
　　该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持在 4.5V 至 20V 的栅源电压下工作，使其兼容多种驱动电路设计。N8T16N 还具备出色的雪崩能量耐受能力，增强了器件在突发电压冲击下的可靠性。
　　最后，N8T16N 采用环保无铅封装，符合 RoHS 标准，适用于现代电子制造中对环境友好的设计需求。

应用

N8T16N MOSFET 广泛应用于多种功率电子系统中。其主要应用包括 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动电路、电源管理系统以及电池供电设备中的高效率开关电路。在服务器电源、工业自动化设备、消费类电子产品（如笔记本电脑和游戏主机）中也常见其身影。由于其高可靠性和优异的热性能，N8T16N 也常用于需要高稳定性和长寿命的工业控制系统中。