N8T15N是一种N沟道功率MOSFET,常用于需要高效率和高功率密度的电源管理应用。该器件设计用于在高电压和高电流条件下工作,具有低导通电阻和快速开关特性,适用于电源转换、电机控制和电池管理系统等场景。N8T15N通常采用TO-220或D2PAK封装,确保良好的散热性能和可靠性。
类型:N沟道MOSFET
漏极-源极电压(Vds):150V
漏极-源极导通电阻(Rds(on)):约0.045Ω(典型值)
最大漏极电流(Id):80A(连续)
栅极-源极电压(Vgs):±20V
工作温度范围:-55°C至175°C
封装类型:TO-220或D2PAK
N8T15N的主要特性包括其低导通电阻,这有助于减少导通损耗并提高效率。它的高电流处理能力使其非常适合用于高功率应用。此外,N8T15N具有良好的热稳定性,能够在高温环境下可靠工作。其快速开关特性减少了开关损耗,从而进一步提高了整体系统效率。此外,该器件的栅极驱动要求较低,简化了驱动电路的设计。
N8T15N还具备优异的雪崩能量耐受能力,能够在瞬态条件下提供额外的保护。这种特性对于需要承受高能量瞬态的应用(如电机驱动和电源转换)尤为重要。此外,该MOSFET的封装设计优化了散热性能,使得在高负载条件下也能保持较低的结温,从而延长器件的使用寿命。
该器件的可靠性也经过严格测试,包括高温反偏测试(HTRB)、高温栅极偏置测试(HTGB)和温度循环测试,确保其在恶劣环境下的长期稳定性。这些测试确保N8T15N能够在各种工业和汽车应用中提供一致的性能表现。
N8T15N广泛应用于多种高功率电子系统,包括DC-DC转换器、电机控制器、电池管理系统和电源管理模块。在汽车电子领域,它可用于车载充电器、电动助力转向系统和电池保护电路。此外,该MOSFET还可用于工业自动化设备、不间断电源(UPS)以及太阳能逆变器等应用,提供高效、可靠的功率控制解决方案。
IRF1405, STP80NF15, FDP80N15