时间：2025/8/14 8:21:29
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PJQ4466AP-AU_R2_000A1 是一款由 Panjit（强茂）公司生产的 P 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件广泛应用于电源管理、负载开关、DC-DC 转换器、电池供电设备等领域。由于其 P 沟道结构，特别适用于高边开关应用，能够提供较高的效率和较低的导通损耗。
类型：P 沟道 MOSFET
最大漏源电压（VDS）：-30V
最大栅源电压（VGS）：±20V
最大连续漏极电流（ID）：-6.5A（@ VGS = -10V）
导通电阻（RDS(on)）：27mΩ（@ VGS = -10V）
导通电阻（RDS(on)）：36mΩ（@ VGS = -4.5V）
功耗（PD）：2.5W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装形式：TSOP-8
PJQ4466AP-AU_R2_000A1 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，具备较低的导通电阻（RDS(on)），从而减少了导通损耗，提高了整体系统效率。其 P 沟道结构非常适合用于高边开关应用，例如电源管理中的负载开关控制。该器件支持较高的栅极电压（±20V），具有良好的栅极氧化层保护，提高了器件的可靠性和稳定性。
此外，PJQ4466AP-AU_R2_000A1 的封装形式为 TSOP-8，体积小、重量轻，适合高密度 PCB 设计。其导通电阻在不同栅极电压下保持较低水平，例如在 -10V 时为 27mΩ，在 -4.5V 时为 36mΩ，使得该器件可以在不同驱动电压条件下保持良好性能。这使其适用于多种应用场景，包括电池供电设备、DC-DC 转换器、电机控制和电源管理系统。
该器件广泛应用于各类电源管理系统中，包括电池供电设备、DC-DC 转换器、负载开关、电机控制、工业自动化设备、消费类电子产品以及车载电子系统等。其高效率和低导通损耗特性使其成为高性能电源管理方案的理想选择。
Si4466EDC, IRML2803, AO4466, FDS4466
