制造商：Texas Instruments
　　产品系列：82S123
　　存储容量：512位 (64 x 8)
　　封装类型：24-DIP
　　电源电压：典型5V
　　工作温度范围：0°C 至 70°C
　　访问时间：典型25ns
　　编程电压：典型21V
　　引脚数：24
　　逻辑类型：PROM，可编程只读存储器
　　技术类型：双极型熔丝工艺
　　输入/输出接口：TTL兼容
　　最大工作电流：约100mA
　　存取速度等级：高速型
　　编程方式：一次性编程（OTP）
　　与门阵列固定，或门阵列可编程：是

N82S123F的核心特性在于其基于双极型晶体管工艺的高速性能和熔丝编程机制的永久性存储能力。该器件内部结构由一个固定的与阵列和一个可编程的或阵列构成，这种架构使其非常适合实现各种组合逻辑函数，如地址译码器、代码转换器、状态机激励逻辑等。在未编程状态下，所有交叉点默认导通，通过施加高电压脉冲烧断不需要的熔丝连接，从而实现用户定义的逻辑功能。这一过程只能进行一次，因此具有高度的安全性和防篡改性，适合用于固化系统启动逻辑或关键配置信息。
　　N82S123F的工作电压为标准5V，输入电平与TTL逻辑完全兼容，可以直接接入大多数数字系统而无需额外的电平转换电路。其典型的存取时间为25纳秒，这在当时属于高速级别，能够满足早期微处理器系统的时序要求。此外，该器件具有较低的功耗特性，在静态工作状态下电流消耗较小，有助于提升系统的整体能效。
　　该芯片采用24引脚DIP封装，布局清晰，便于手工焊接和调试，特别适合原型开发和小批量生产。其工业级工作温度范围（0°C 至 +70°C）保证了在常见环境下的稳定运行。虽然现代半导体技术已转向CMOS和可重复擦写的非易失性存储器，但N82S123F因其极高的可靠性、抗干扰能力和长期数据保持能力，在航空航天、军事电子和工业自动化等对稳定性要求极高的领域仍有应用。
　　值得注意的是，由于其为熔丝型器件，编程前必须进行充分的逻辑验证，避免因错误编程导致器件报废。同时，需使用专用的PROM编程器，并遵循制造商提供的编程算法和电压时序规范。N82S123F还具备良好的扇出能力，可直接驱动多个TTL负载，在构建复杂逻辑网络时表现出色。

N82S123F主要应用于需要实现固定组合逻辑功能的数字系统中。典型应用场景包括微处理器系统的地址译码电路，用于选择不同的外设或存储器模块；在工业控制系统中作为状态编码转换器，将机械位置信号或传感器状态转换为标准数字编码；也可用作微程序控制器中的控制存储器，存储指令执行的微操作序列。此外，该器件常用于总线接口逻辑设计，实现数据格式转换、奇偶校验生成与检测等功能。
　　在通信设备中，N82S123F可用于协议转换逻辑或帧同步识别电路，其高速响应能力确保了数据传输的实时性。在测试与测量仪器中，它被用来构建自定义的逻辑分析表或波形发生器控制逻辑，提供灵活且可靠的硬件支持。由于其一次性编程特性，该芯片也适用于防止逆向工程的场合，例如在专有设备中嵌入加密密钥映射表或设备认证码。
　　在教育和科研领域，N82S123F曾是学习可编程逻辑器件原理的重要实验工具，帮助学生理解与-或阵列结构和PROM在逻辑综合中的作用。即使在当前，一些复古计算机爱好者和硬件收藏者仍会使用N82S123F来修复或复刻经典计算机系统，如老式工作站、迷你计算机或工业控制板卡。此外，在无法使用现代可编程逻辑器件的高辐射或极端温度环境中，这类经过长期验证的老式双极型PROM仍可能作为备选方案使用。

SN74S123N
　　DM82S123AN
　　MMI82S123PC
　　Intel 82S123