型号：N82S123AD
　　制造商：Texas Instruments
　　封装类型：24-DIP
　　存储容量：512位
　　组织结构：32 x 16
　　电源电压：+4.75V 至 +5.25V
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C
　　访问时间典型值：35ns
　　编程电压：+5V（标准TTL电平）
　　输入兼容性：TTL电平
　　输出驱动能力：标准TTL负载
　　编程方式：一次性可编程（OTP）
　　技术工艺：双极型肖特基TTL
　　最大功耗：约500mW

N82S123AD具备出色的高速性能和高可靠性，适用于需要快速响应的数字逻辑应用。其内部采用熔丝式编程结构，在出厂时所有存储位默认为逻辑高电平（'1'），用户可通过专用编程器将特定熔丝烧断以写入逻辑低电平（'0'），从而实现自定义数据或逻辑函数的固化。该过程不可逆，因此必须在编程前充分验证数据正确性。器件的存取时间通常在35ns左右，部分版本可达25ns，使其能够在高达20MHz以上的时钟频率下稳定运行，满足当时主流微处理器系统的时序要求。其输入端口完全兼容TTL电平标准，无需额外电平转换电路即可直接与74系列逻辑器件或微控制器连接，简化了系统集成。输出端也提供标准TTL驱动能力，能够直接驱动多个TTL负载，适用于总线结构中的并行数据输出。此外，N82S123AD内置过压保护和噪声抑制设计，提升了在复杂电磁环境下的稳定性。尽管其功耗相对较高（典型工作状态下约为500mW），但由于其响应速度快、接口简单、无需刷新机制，因此在实时性要求高的场合仍具优势。值得注意的是，该器件对静电敏感，操作时需采取防静电措施，避免损坏内部精细的熔丝结构。虽然现代半导体技术已发展出多代替代方案，但N82S123AD因其成熟的设计和广泛的文档支持，依然是教学实验和老式系统维护的重要元件之一。
　　该芯片还支持多种封装形式，其中N82S123AD特指陶瓷DIP封装版本，具有更好的耐热性和密封性，常用于工业级或军用级应用环境。其地址建立时间和保持时间要求严格，设计者需确保控制信号与时钟同步，防止出现地址漂移导致错误输出。此外，该器件支持三态输出控制，在某些配置下可实现总线共享功能，增强系统的灵活性。整体而言，N82S123AD代表了早期可编程逻辑技术的一个高峰，是理解现代FPGA和CPLD发展脉络的关键参考器件。

N82S123AD主要用于实现组合逻辑函数生成，例如编码器、译码器、多路复用器等功能模块的硬件实现，特别适合那些需要固定逻辑映射且频繁调用的应用场景。在早期计算机系统中，它常被用来构建微程序控制器，将指令集的操作序列以微码形式存储于其中，由中央处理器按地址读取执行，从而实现复杂的机器指令解析。此外，该器件广泛应用于工业自动化控制系统中，作为状态机的核心存储单元，用于定义不同操作模式之间的跳转关系和输出动作。在通信设备领域，N82S123AD可用于协议转换表或字符映射表的存储，实现快速的数据格式变换。由于其支持并行输出，也常见于图形显示控制电路中，用于颜色查找表（Color Lookup Table, CLUT）或字符发生器（Character Generator）的设计。在测试测量仪器中，该芯片可用于波形合成、触发条件判断或校准数据存储。另外，由于其一次性编程特性，N82S123AD也被用于产品固件固化，防止未经授权的修改，起到一定的安全防护作用。在教育和科研领域，它是数字逻辑课程实验的经典器件，帮助学生理解存储器结构、地址译码原理以及硬件编程的基本概念。尽管当前已被更先进的非易失性存储器替代，但在修复 vintage 计算机、老式数控机床或航空电子设备时，N82S123AD仍是不可或缺的元器件。其稳定的电气性能和长期供货历史使其成为工程师进行系统升级或兼容性设计时的重要参考对象。

SN74S123N
　　MCM2123BDC
　　N82S123N