类型：N 沟道
　　漏源电压(Vds)：150V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：8A
　　导通电阻(Rds(on))：典型值 0.25Ω @ Vgs = 10V
　　功耗(Pd)：60W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-220AB

MTP15008I 的主要特点之一是其低导通电阻（Rds(on)），这使得在高电流条件下能够显著减少功率损耗并提高系统的整体效率。此外，该器件支持高达 150V 的漏源电压，适用于中高压应用场景。
　　另一个重要特点是其热稳定性和可靠性较高，得益于其 TO-220AB 封装结构，具备良好的散热性能，能够在高温环境下稳定运行。此外，MTP15008I 具备较高的栅极驱动兼容性，支持标准的 10V 栅极驱动电压，同时也能够承受高达 ±20V 的栅源电压，增强了其在复杂电路中的适应能力。
　　该 MOSFET 还具有快速开关特性，适用于高频操作，从而减少开关损耗，并支持小型化电感器和变压器的设计。因此，它在 DC-DC 转换器、电源供应器以及电机控制等应用中表现尤为出色。

MTP15008I 广泛应用于多种电力电子领域，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电池充电器、UPS（不间断电源）、逆变器以及工业控制系统。由于其具备高耐压能力和较低的导通损耗，特别适合用于要求高效率和高可靠性的设计中。
　　例如，在开关电源设计中，MTP15008I 可作为主功率开关或同步整流器使用，以提升电源转换效率并减小整体尺寸。同时，该器件也常用于电动工具、电动车控制器以及太阳能逆变器等产品中，用作负载开关或桥式电路中的关键元件。
　　在工业自动化和电机控制方面，MTP15008I 能够有效实现电机驱动的 PWM 控制，确保动态响应快且能耗低。此外，其出色的热稳定性使其非常适合长时间运行的工业设备。

IRFZ44N, FDPF15008AL, FQA8N150