N82C42PC 时间：2025/10/29 20:29:33 阅读：52

N82C42PC是一款由Intersil公司（前身为Harris Semiconductor）生产的高性能、低功耗CMOS静态随机存取存储器（SRAM），属于工业级和军用级器件系列。该芯片采用28引脚DIP（双列直插式封装）或PLCC（塑料引线芯片载体）封装，具有2K x 8位的存储容量，即总共16,384位数据存储空间。N82C42PC是专为高可靠性应用设计的CMOS SRAM，广泛应用于军事、航空航天、工业控制以及需要宽温范围和抗辐射能力的系统中。该器件兼容标准TTL电平接口，可直接与多种微处理器和控制器无缝连接，无需额外的电平转换电路。其内部结构采用全静态设计，无需时钟信号或刷新操作即可维持数据稳定，简化了系统设计并提高了运行可靠性。N82C42PC的工作电压通常为5V±10%，在待机模式下功耗极低，适合电池供电或对功耗敏感的应用场景。此外，该器件具备出色的抗干扰能力和温度适应性，工作温度范围可达-55°C至+125°C，满足MIL-STD-883标准中的严格测试要求，确保在极端环境下的长期稳定运行。

参数

型号：N82C42PC
　　制造商：Intersil (Harris)
　　存储容量：2K x 8位
　　封装类型：28-DIP 或 28-PLCC
　　工作电压：4.5V 至 5.5V
　　读取时间（最大）：70ns / 100ns / 150ns（根据速度等级）
　　待机电流：典型值 10μA，最大值 100μA
　　工作电流：典型值 20mA（在最大访问频率下）
　　输入电平兼容性：TTL 兼容
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　湿度敏感度等级：MSL 3（对于PLCC封装）
　　可靠性标准：符合 MIL-STD-883B 测试方法认证

特性

N82C42PC的核心特性之一是其全静态CMOS架构设计，这种设计允许器件在没有时钟信号的情况下保持数据完整性，只要电源持续供应即可。这使得它非常适合用于嵌入式系统、实时控制系统以及那些不允许出现数据丢失的关键任务设备中。静态操作消除了动态RAM所需的复杂刷新逻辑，从而降低了系统整体复杂度，并提升了系统的可靠性和稳定性。
　　另一个显著特点是其卓越的低功耗性能。在待机模式下，该SRAM的典型静态电流仅为10微安，远低于许多同类双极型或NMOS SRAM器件，使其成为便携式设备、远程传感器节点和航天器电子系统等对能耗极为敏感的应用理想选择。同时，在高速读写操作期间，其动态功耗也经过优化，能够在保证性能的同时控制总能耗。
　　N82C42PC还具备出色的环境适应能力。其宽广的工作温度范围从-55°C到+125°C，使其能够在极寒或高温环境中正常运行，适用于沙漠、极地、高空飞行器及外层空间等恶劣条件下的电子系统。此外，该器件通过了MIL-STD-883标准中的多项可靠性测试，包括热冲击、温度循环、高压蒸煮（PCT）、寿命加速老化等，确保其在严苛环境下的长期耐用性。
　　该芯片的TTL电平兼容性使其能够轻松集成到现有基于微处理器的设计中，无需额外的电平转换器或缓冲电路，简化了PCB布局和系统集成过程。所有输入端均具有过压保护和静电放电（ESD）防护，增强了器件在实际使用中的鲁棒性。
　　最后，N82C42PC提供多种速度等级选项（如70ns、100ns、150ns），用户可根据具体系统需求选择合适的型号，在性能与成本之间取得平衡。其高抗辐射能力和抗电磁干扰特性也使其广泛应用于核设施监测、卫星通信和导弹制导等国防和航天领域。

应用

N82C42PC因其高可靠性、宽温工作范围和低功耗特性，被广泛应用于多个关键领域。在军事和国防系统中，该器件常用于雷达信号处理单元、战术通信设备、飞行控制系统以及武器导航模块中，作为临时数据缓存或程序存储介质，确保在高强度电磁干扰和剧烈温度变化条件下仍能稳定运行。
　　在航空航天领域，N82C42PC被部署于卫星星载计算机、航天器姿态控制系统、遥测数据采集系统以及深空探测器的本地存储单元中。由于其具备一定的抗辐射能力，并且经过严格的筛选和测试，能够承受发射过程中的振动以及太空环境中的粒子辐照，因此特别适合用于长期无人维护的空间任务。
　　工业自动化和过程控制也是其重要应用方向。例如，在高温油田设备、地下钻探仪器、电力变电站监控系统中，N82C42PC可用于保存实时传感器数据或执行代码，即使在极端工业环境下也能保证数据不丢失。
　　此外，该器件还常见于高精度测试测量仪器、医疗成像设备中的图像帧缓冲器、以及需要长期稳定运行的铁路信号控制系统中。由于其引脚兼容性强，也可作为老旧军用平台升级替换原有SRAM的优选方案。