N82C08-20 时间：2025/10/29 15:46:33 阅读：23

N82C08-20是一款由Intersil公司生产的高速CMOS静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该器件采用28引脚DIP（双列直插式封装）或SOIC封装，具有32K x 8位的存储容量，即总容量为32,768字节。其主要设计用于需要低功耗、高速读写操作的嵌入式系统和工业控制设备中。N82C08-20的工作电压范围通常为4.5V至5.5V，兼容标准的TTL电平输入输出接口，因此可以无缝集成到传统的微处理器系统架构中。该芯片采用静态设计，无需动态刷新电路即可保持数据稳定，简化了系统设计并降低了功耗。此外，N82C08-20具备双向三态数据总线，支持多设备共享数据总线的应用场景，适用于地址/数据复用或多处理器系统环境。该器件广泛应用于通信设备、军事电子系统、工业自动化控制器以及老式计算机外围设备等对可靠性要求较高的场合。由于其非易失性保护机制依赖外部电源维持数据，在断电情况下需配合备用电池或EEPROM进行数据保存。随着现代半导体技术的发展，此类低密度SRAM已逐渐被更高密度、更低功耗的新型存储器所替代，但在一些维护现有系统的应用场景中仍具使用价值。

参数

型号：N82C08-20
　　封装类型：28-DIP 或 28-SOIC
　　存储容量：32K x 8 bits (256 Kbit)
　　工作电压：4.5V 至 5.5V
　　访问时间：200ns
　　读取电流：典型值 40mA
　　待机电流：典型值 10μA
　　输入电平：TTL 兼容
　　输出电平：TTL 兼容
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　三态输出：是
　　封装材料：陶瓷或塑料DIP/SOIC

特性

N82C08-20的首要特性是其高可靠性和宽温工作能力，特别适合在极端环境条件下运行，例如航空航天、军事装备及工业控制系统。该芯片能够在-55°C至+125°C的宽温度范围内稳定工作，确保在高温或极寒环境下依然保持数据完整性与读写性能。这种宽温特性使其优于许多商用级SRAM产品，能够应对剧烈温度变化带来的电气参数漂移问题。
　　其次，该器件采用了先进的CMOS制造工艺，在保证高速访问的同时实现了较低的功耗表现。在正常读取操作下，典型工作电流仅为40mA左右，而在待机模式下，电流可低至10μA，极大地延长了电池供电系统的使用寿命，适用于便携式或远程无人值守设备。
　　再者，N82C08-20具备200ns的访问时间，属于当时较为快速的SRAM之一，能够满足8位和16位微处理器系统的实时数据存取需求。其地址建立时间和保持时间经过优化，与主流MPU如8086、80C186等具有良好时序匹配性，减少了系统设计中的等待周期插入，提升了整体运行效率。
　　此外，该芯片具有双向三态输出功能，允许多个存储器或外设共享同一数据总线，通过片选信号（CE）、输出使能（OE）和写使能（WE）三个控制引脚实现精确的操作控制。这种灵活性使得它非常适合构建复杂的多模块系统架构。
　　最后，N82C08-20采用抗辐射设计版本（如H等级），可用于高可靠性军用系统，具备较强的抗电磁干扰和单粒子翻转（SEU）能力，进一步增强了其在关键任务应用中的适用性。尽管当前已有更先进替代品，但其长期供货记录和成熟应用历史使其仍在某些特定领域持续使用。

应用

N82C08-20主要应用于对稳定性、可靠性和环境适应性要求极高的工业与军事电子系统中。在军事通信设备中，该芯片常被用作临时数据缓冲区，用于存储加密算法中间变量或帧同步信息，因其宽温特性和抗干扰能力强，可在野战环境中长时间稳定运行。
　　在航空航天领域，该SRAM被集成于飞行控制系统、遥测数据采集单元和卫星姿态调整模块中，作为高速缓存使用，负责暂存传感器采集的数据或指令队列，确保飞行器在复杂电磁环境下仍能准确响应地面指令。
　　此外，在工业自动化控制系统中，N82C08-20广泛用于PLC（可编程逻辑控制器）、DCS（分布式控制系统）和远程I/O模块中，作为CPU与外设之间的数据交换缓冲区，支持高速扫描周期下的实时数据处理需求。
　　在老旧计算机系统和嵌入式终端设备的维护升级过程中，该芯片也常用于替换损坏的原始SRAM，尤其在银行ATM机、医疗监护仪和交通信号控制器等长生命周期设备中仍有大量应用。
　　由于其TTL电平兼容性和标准接口设计，N82C08-20还可作为通用静态RAM用于教学实验平台和原型开发系统中，帮助学生理解存储器寻址、总线仲裁和时序控制的基本原理。虽然现代设计更多转向低电压、高密度的新型SRAM或DRAM，但在不需要频繁更换且强调长期稳定性的系统中，N82C08-20仍然是一种值得信赖的选择。