CXG1017N-T4 时间：2025/8/18 20:06:15 阅读：18

CXG1017N-T4是一款由Clare公司（现隶属于IXYS Corporation）设计的高性能、双通道、高速MOSFET驱动器集成电路，专为高效率功率转换应用设计。该器件采用先进的高压电平转换技术，适用于驱动N沟道功率MOSFET或IGBT，常用于DC-DC转换器、电机驱动、电源管理以及各类工业和汽车电子系统中。其双通道结构支持独立的上下桥臂驱动，具备高抗噪能力和良好的时序匹配特性。

参数

封装类型：SOIC-16
　　工作电压：10V至20V
　　输出电流：高端和低端各为1.5A（峰值）
　　工作温度范围：-40°C至+125°C
　　输入逻辑电平兼容性：3.3V、5V及15V逻辑
　　传播延迟：典型值100ns
　　上升/下降时间：典型值15ns
　　驱动能力：支持高侧和低侧驱动
　　隔离耐压：600V（高侧浮动电源）

特性

CXG1017N-T4采用CMOS工艺制造，具备极高的抗干扰能力，能够在高dv/dt环境下稳定工作。该器件集成了一个高速电平转换器，能够将低压侧的PWM信号高效转换为高侧驱动信号，确保上下桥臂之间的精确同步。此外，该驱动器内部还集成了欠压锁定保护（UVLO）功能，当供电电压低于设定阈值时会自动关闭输出，防止MOSFET在非饱和区工作，从而提高系统的可靠性。
　　在性能方面，CXG1017N-T4具有极低的传输延迟和延迟匹配误差，确保了上下桥臂开关动作的高度同步，这对于高频开关应用尤为重要。该器件的输出驱动能力强，能够快速充放电MOSFET栅极电荷，减少开关损耗并提高系统效率。同时，其双通道结构允许用户灵活配置为半桥驱动器或两个独立的低端驱动器，适用于多种拓扑结构。
　　在封装方面，该器件采用标准的16引脚SOIC封装，具备良好的散热性能和机械稳定性，适用于工业级和汽车级应用环境。

应用

CXG1017N-T4广泛应用于各类功率电子系统中，如DC-DC变换器、同步整流器、电机控制驱动器、逆变器、电源模块、电池管理系统（BMS）以及工业自动化设备。由于其具备高侧和低侧驱动能力，特别适用于半桥拓扑结构中的MOSFET驱动控制。此外，在新能源汽车、充电桩、光伏逆变器等高可靠性要求的场合，该芯片也表现出色，能够有效提升系统的整体效率和稳定性。在设计中，CXG1017N-T4通常与功率MOSFET或IGBT配合使用，作为前级驱动电路，负责将控制信号放大并隔离传输至功率器件栅极。