时间：2025/8/30 7:51:34
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N7E50-M516EB-50-WF 是一款由 Nanya（南亚科技）生产的 DDR SDRAM（双倍数据速率同步动态随机存取内存）芯片，广泛用于工业控制、嵌入式系统、网络设备及消费类电子产品中。这款内存芯片采用标准的 TSOP（薄型小外形封装）封装方式，具有较高的稳定性和兼容性。其工作电压为 2.3V 至 3.6V，支持标准的 DDR SDRAM 功能，包括自动刷新、自刷新、突发模式等。该芯片的容量为 512Mb（64MB），组织结构为 x16，数据传输速率可达 166MHz（等效于 166MHz CL=2.5 或 CL=3）。N7E50-M516EB-50-WF 在设计上符合 JEDEC 标准，适用于各种需要中等容量内存的系统。
容量：512Mb
组织结构：x16
电压：2.3V - 3.6V
封装：TSOP
工作温度：-40°C 至 +85°C
频率：166MHz
数据速率：166MHz
CAS 延迟：2.5 / 3
封装类型：TSOP-II
引脚数：54
时钟频率：166MHz
访问时间：5.4ns
数据输出保持时间：2.7ns
数据输入建立时间：1.8ns
数据输入保持时间：0.8ns
N7E50-M516EB-50-WF DDR SDRAM 芯片具有多项关键特性，使其在多种应用中表现出色。首先，其支持 DDR 技术，能够在每个时钟周期的上升沿和下降沿传输数据，从而实现双倍数据速率。这使得数据传输效率显著提高，适用于需要高带宽的系统。其次，该芯片采用了 CMOS 工艺制造，具有较低的功耗特性，尤其在待机模式下，功耗进一步降低，适合对能耗敏感的设备。
该芯片支持自动刷新和自刷新功能，能够在系统空闲时减少外部控制器的干预，从而降低系统功耗并减轻主控负担。此外，它还具备突发模式（Burst Mode）操作能力，允许在单个读写操作中连续传输多个数据字，提高数据访问效率。
N7E50-M516EB-50-WF 的工作温度范围为 -40°C 至 +85°C，满足工业级温度要求，适用于各种严苛环境下的应用，如工业自动化设备、通信基站、车载系统等。TSOP 封装形式不仅有助于提高封装密度，还能降低信号噪声，提升电气性能。
该芯片还支持多种延迟设置（CAS Latency），包括 2.5 和 3，用户可以根据系统时钟频率和性能需求进行灵活配置。其数据输出保持时间（tRC）为 2.7ns，数据输入建立时间（tDS）为 1.8ns，确保了高速数据传输的稳定性与可靠性。JEDEC 标准兼容性也意味着该芯片可以方便地集成到各种标准主板和系统中，无需额外定制电路。
N7E50-M516EB-50-WF DDR SDRAM 芯片广泛应用于多个领域。在工业控制方面，该芯片常用于 PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）、工业计算机等设备中，为系统提供稳定、高速的内存支持。在网络设备中，如路由器、交换机、网关等，该芯片可作为缓存或主存，提升数据转发效率。
在消费类电子产品中，该芯片适用于机顶盒、数字电视、智能家电等设备，为系统提供足够的内存容量和较快的数据访问速度。此外，它还可用于嵌入式系统，如 POS 机、安防监控设备、医疗仪器等，满足对内存稳定性和可靠性要求较高的应用场景。
由于其宽温范围和工业级设计，该芯片也常用于车载电子系统，如车载导航、行车记录仪、车载娱乐系统等，适应各种复杂环境下的运行需求。同时，该芯片的低功耗特性也使其适用于电池供电设备，如便携式终端、手持测试仪器等，延长设备的使用时间。
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"N512D160F9-6T-W",
"HY57V561620FTP-6A",
"K4S561632K-TC10",
"MT48LC16M5A2B4-6A"
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